參考價(jià)格
60-70萬(wàn)元型號(hào)
H-Sorb 2600T品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無(wú)測(cè)量范圍:
-196度至600℃誤差率:
1.5%分辨率:
0.001重現(xiàn)性:
重復(fù)性誤差小于±2%儀器原理:
靜態(tài)容量法分散方式:
N測(cè)量時(shí)間:
24小時(shí)看了PCT鎂氫高壓吸附儀的用戶(hù)又看了
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全自動(dòng)高壓氫氣吸附儀主要特點(diǎn):
-196度至600℃區(qū)間可選任意溫度的吸脫附等溫線測(cè)定,吉布斯超臨界吸附測(cè)定;氣體吸附及脫附速率測(cè)定(即吸脫附動(dòng)力學(xué)測(cè)定);煤吸附及解析量測(cè)定,吸附及解析速率測(cè)定;煤模擬恒壓吸脫附量測(cè)定;瓦斯吸附常數(shù)a、b值; PCT等溫線測(cè)定,TPD程序升溫脫附及放氫溫度平臺(tái)測(cè)定,吸氫及放氫壓力平臺(tái)測(cè)定,材料吸放氫循環(huán)試驗(yàn)(疲勞試驗(yàn))。
控制系統(tǒng):采用進(jìn)口VCR接口高壓氣動(dòng)閥,可實(shí)現(xiàn)200Bar壓力范圍內(nèi)的自動(dòng)通斷控制,密封性能達(dá)1x10-10Pa.m3/s,使用壽命達(dá)500百萬(wàn)次;采用可編程控制器控制系統(tǒng),高集成度和抗干擾能力,提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命;
測(cè)試操控:通過(guò)測(cè)試軟件界面設(shè)定相關(guān)參量,實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化無(wú)人值守式運(yùn)行,可實(shí)現(xiàn)夜間自動(dòng)測(cè)試; H-Sorb模式可按需精確控制充氣壓力點(diǎn),獲得理想數(shù)據(jù)點(diǎn);
管路系統(tǒng):進(jìn)口316L不銹鋼厚壁管路,微焊工藝的主管路密封連接,可有效降低死體積空間,提高測(cè)試精度;全金屬VCR連接,可實(shí)現(xiàn)安全可靠,便于安裝或拆卸的管路快速連接;
安全措施:**的H-Sorb模式漸進(jìn)式充氣和排氣技術(shù),可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化充氣和排氣,安全可靠,消除人為操作高壓氣體可能帶來(lái)的危險(xiǎn),并可減少大壓差對(duì)壓力傳感器的沖擊可能帶來(lái)的損害.
高壓氫氣吸附儀應(yīng)用領(lǐng)域:
1、高溫高壓氣體吸附研究,超臨界氣體性能研究,微孔材料吸附研究,PCT儲(chǔ)氫材料性能研究,PCT合金儲(chǔ)氫,TPD程序升溫脫附及放氫溫度平臺(tái)測(cè)定,煤層氣研究,石油勘探等
2、典型應(yīng)用包括催化劑、分子篩、活性炭、碳納米管和各種儲(chǔ)氫材料.
3、了解材料的吸附特性是燃料電池、電池?zé)煹罋庀礈焖吞細(xì)浠衔镅芯亢桶l(fā)展的關(guān)鍵.
金埃譜科技為您提供專(zhuān)業(yè)的高溫高壓巖心氣體吸附測(cè)試裝置售前解決方案!更為您提供優(yōu)質(zhì)快捷的售后服務(wù)!讓您的高溫高壓巖心氣體吸附測(cè)試裝置選購(gòu)無(wú)后顧之憂!金埃譜科技竭誠(chéng)為您服務(wù)!
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車(chē)工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
5月18日,第四屆量子科儀節(jié)暨量子精密測(cè)量賦能新質(zhì)生產(chǎn)力會(huì)議在合肥市量子科儀谷舉行。會(huì)上,國(guó)儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司發(fā)布了自主研制的鉆石單自旋傳感器、量子磁力儀、微波場(chǎng)強(qiáng)儀等多款量子傳感器,為量
由北京理化分析測(cè)試技術(shù)學(xué)會(huì)北京波譜學(xué)會(huì)主辦,中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所和天津醫(yī)科大學(xué)協(xié)辦的“2025年度北京波譜年會(huì)”將于于5月23日-5月25日在北京召開(kāi)。屆時(shí),國(guó)儀量子將在會(huì)上全面展示國(guó)產(chǎn)電子順磁共振波
近日,【國(guó)儀順磁學(xué)院】波譜校園行北京站在北京工業(yè)大學(xué)成功舉行。來(lái)自清華大學(xué)、北京師范大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)等全國(guó)多所頂尖高校的70余名師生齊聚北京工業(yè)大學(xué),共同學(xué)習(xí)交流電子順磁共振波譜技術(shù)的基
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對(duì)芯片的性能
國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí),Al 互連導(dǎo)線
國(guó)儀量子電鏡在芯片鈍化層開(kāi)裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利