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硅基底CVD石墨烯膜
硅基底CVD石墨烯膜

參考價格

1萬元以下

型號

Si-G

品牌

產(chǎn)地

江蘇常州

樣本

暫無
常州碳時代科技有限公司

會員

|

第10年

|

生產(chǎn)商

工商已核實

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核心參數(shù)
  • 純度:

    1
  • 目數(shù):

    1
  • 品級:

    1
  • 制作方法:

    CVD
  • 質(zhì)量標準:

    IS9001
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硅基底CVD石墨烯膜


聯(lián)系電話:13685******,劉先生


硅片厚度:700微米

硅片表面氧化硅厚度:300nm

石墨烯層數(shù):1層,2層,多層(可選)

石墨烯方阻:300-500(單層石墨烯)

石墨烯單層覆蓋率:>95%



樣品照片:


光學顯微鏡照片:

O1CN01P6fh7B1aQtSpUX2BO_!!697903325.png

Raman光譜

O1CN017ZasYA1aQtSmc6OvB_!!697903325.png

參數(shù)價格:

量大可打折

QQ截圖20200805154950.png


存儲條件:

建議產(chǎn)品在常溫下保存在干燥,低氧(無氧)的容器中,建議一個月內(nèi)使用完.


創(chuàng)新點

CVD工藝制備的石墨烯薄膜,單層率高,尺寸大

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易用性

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