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樣品名稱 進口硒化鍺GeSe晶體 性質(zhì) 半導體帶隙 待實驗確定 參數(shù) 純度：＞99.995%尺寸：:~8mm，其他尺寸可定制顏色：黑色 應用 半導體電子器件，傳感器-探測器，非線性光學，STM-AFM實驗，光學器件等研究 其他信息 詳情請發(fā)郵件至：mknano@*******, sale@muk*********。 單晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我們實驗室**技術生長。我們生長的每塊單晶耗時3個月左右以保證我們?yōu)槟峁?*晶格的單晶。每塊單晶都是有很好的結(jié)晶性，分子層間距有較弱的范德華作用力，層狀結(jié)構(gòu)以保證易于剝離。單層GeSe具有具有很好的光學性質(zhì)，機械性質(zhì)和光學性質(zhì)。 我們實驗室有著進5年的單晶生長經(jīng)驗，每塊晶體都有很好的可重復性。單晶 GeSe塊體的尺寸可以達到10mm級別，純度可以達到99.995% 甚至更高的純度。單 晶 GeSe 沒有其他的雜相，沒有其他的非晶相。我們的GeSe單晶具有很大的晶疇，可以得到很大的單層。 另外我們還提供免費的機械剝離和轉(zhuǎn)移技術。
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11月25日，記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎研究”等項目的支持下，在國際上首次實現(xiàn)
【科技前沿】科學家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時間：2015-11-28 點擊：14 屯特大學MESA+研究中心的研究者和幾個其他機構(gòu)的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料。
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼
硒化鍺單晶GeSe的工作原理介紹？硒化鍺單晶GeSe的使用方法？硒化鍺單晶GeSe多少錢一臺？硒化鍺單晶GeSe使用的注意事項硒化鍺單晶GeSe的說明書有嗎？硒化鍺單晶GeSe的操作規(guī)程有嗎？硒化鍺單晶GeSe的報價含票含運費嗎？硒化鍺單晶GeSe有現(xiàn)貨嗎？硒化鍺單晶GeSe包安裝嗎？
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