參考價(jià)格
1萬(wàn)元以下型號(hào)
AAO-001品牌
拓?fù)?/span>產(chǎn)地
深圳樣本
暫無(wú)純度:
100目數(shù):
100品級(jí):
100看了鋁基AAO模板 單通AAO 納米模板 多孔 陽(yáng)極氧化鋁 AAO模板 無(wú)機(jī)膜的用戶(hù)又看了
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有獎(jiǎng)?wù)鲌D
目前,膜的重要作用正廣為大家所認(rèn)知,深圳拓?fù)渚た萍加邢薰?/span>()為了滿(mǎn)足廣大用戶(hù)對(duì)AAO模板、AAO濾膜、單通AAO模板、雙通AAO模板以及其它定制類(lèi)產(chǎn)品的需求,充分調(diào)動(dòng)和鼓勵(lì)用戶(hù)對(duì)產(chǎn)品本身以及產(chǎn)品應(yīng)用的興趣,公司將不斷完善各類(lèi)AAO產(chǎn)品的進(jìn)一步研發(fā)生產(chǎn),提供高性能的產(chǎn)品服務(wù)大家!
現(xiàn)面向廣大AAO產(chǎn)品用戶(hù),征集實(shí)驗(yàn)圖例方案,并將征集辦法公告如下:
一、征集要求
1. 凡是使用AAO相關(guān)產(chǎn)品所取得的圖片均滿(mǎn)足要求(包括AAO材料本身以及用AAO產(chǎn)品制備的任何材料所得到的圖片);
2. 圖片可以是光學(xué)圖、SEM圖、AFM圖等表現(xiàn)形式;
3. 圖片的提供者不限于公司客戶(hù),所有用戶(hù)均可參賽;
二、征集方式
1.征集時(shí)間:自公布之日起至2017年9月30日止。
2.征集內(nèi)容:AAO膜實(shí)驗(yàn)電子版圖例(JPG格式,并附100字左右文字說(shuō)明)發(fā)送至郵箱: nano@topme***********
3.來(lái)稿須注明聯(lián)系電話(huà)、公司或高校名稱(chēng)、聯(lián)系人姓名(以備獲獎(jiǎng)聯(lián)系)。
郵件格式:
標(biāo)題:AAO參賽圖
內(nèi)容:姓名——公司或高校名稱(chēng)——聯(lián)系電話(huà)
描述:100字左右
圖片附件。
三、獎(jiǎng)項(xiàng)設(shè)置
1. 本期征集為**期,本期征集活動(dòng)設(shè)**圖片獎(jiǎng)1名,獎(jiǎng)品為高檔空氣凈化器1臺(tái);
2. 所有成功參賽者均可在下次訂購(gòu)產(chǎn)品或9折優(yōu)惠。
四、其它事宜
1.所有征集作品設(shè)計(jì)版權(quán)歸作者所有,應(yīng)征作品必須是作者自己研究所得,不得拷貝;
2.本次征集作品由“深圳拓?fù)渚た萍加邢薰?/span>”組織相關(guān)技術(shù)專(zhuān)家組成評(píng)審組進(jìn)行評(píng)審,評(píng)審組將于2017年10月15日前完成評(píng)審,并通知獲獎(jiǎng)作品的作者。
圖1. 鋁基AAO模板結(jié)構(gòu)示意圖及SEM圖
圖2. 鋁基AAO截面示意圖
鋁基AAO(Anodic Aluminum Oxide)模板,又叫單通AAO模板,它具有蜂窩狀結(jié)構(gòu)(如圖1所示),由許多六角形柱體氧化鋁(Al2O3)原胞組成,每個(gè)原胞中間有個(gè)圓形的小孔,在孔的下端有個(gè)半球形的阻擋層,阻擋層下方為鋁基,也可以稱(chēng)之為單通AAO。鋁基AAO是AAO系列*為簡(jiǎn)單的一個(gè),制備容易,成品率高,可實(shí)現(xiàn)幾百平方厘米以上的大面積均勻制備。圖2為鋁基AAO模板的截面示意圖。根據(jù)制備條件的不同,單通AAO的孔徑可以實(shí)現(xiàn)孔徑幾十納米到幾百納米,孔深(即AAO的厚度)連續(xù)可控,淺則幾十納米,深可以達(dá)到幾十微米。鋁基AAO表面納米級(jí)孔洞排列短程有序,有序范圍為微米級(jí),排列方式為六角密排結(jié)構(gòu)。其孔徑大面積范圍內(nèi)均勻可控,可作為母版將多孔結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到其它材料之上。高密度的孔分布以及細(xì)長(zhǎng)的孔道,提供了一種比表面極高的三維納米結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)分子的大量吸附,在比如光學(xué)檢測(cè)等方面有很好的應(yīng)用前景。另外,鋁基AAO也可直接作為模板在孔道內(nèi)通過(guò)水熱法或交流電化學(xué)沉積法制備納米線(xiàn)。
圖3. 鋁基AAO的SEM圖
圖3左側(cè)為幾種典型的鋁基AAO的SEM圖的俯視圖,右側(cè)為其截面視角SEM圖,可見(jiàn)AAO在小范圍內(nèi)孔呈六角密排,孔徑比較均勻,孔底部阻擋層清晰可見(jiàn)。
圖4.鋁基AAO模板產(chǎn)品實(shí)物圖
圖5. 鋁基AAO產(chǎn)品放置方向示意圖
鋁基AAO模板一面為高度有序多孔結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品包裝盒貼有公司logo的為盒蓋,包裝時(shí)膜正面向上,如圖5所示。由于有鋁基底的支撐,鋁基AAO強(qiáng)度較高,可以用鑷子夾取和略微折彎,可以進(jìn)行短時(shí)間的超聲清洗。注意切勿用手指直接接觸膜表面,否則手上的油脂或其它異物容易沾到膜表面,而且非常難以將其清洗干凈。
圖6. 鋁基AAO模板結(jié)構(gòu)示意圖
鋁基AAO模板產(chǎn)品包裝盒內(nèi)正面朝上放置,上表面為有效AAO層,產(chǎn)品背面也有一層多孔氧化鋁,只不過(guò)這層氧化鋁較有效AAO層薄一些,質(zhì)量差一些,請(qǐng)不要使用這層氧化層作為多孔模板。為了防止混淆正反面,建議在取出單通AAO的時(shí)候就用記號(hào)筆在其背面做好標(biāo)記。AAO膜可以采用5wt%的磷酸進(jìn)行慢速去除,或采用5~10wt.%的NaOH進(jìn)行快速去除(在確保AAO部分與磷酸或NaOH容易能夠直接接觸的前提下)。
如果使用鋁基AAO作為模板制備高分子納米線(xiàn),可以將高分子的溶液滴在A(yíng)AO表面,或者將高分子薄膜鋪在A(yíng)AO表面然后加熱。制備結(jié)束后,由于A(yíng)AO的正面被高分子層保護(hù),所以不可以將整個(gè)樣品簡(jiǎn)單放在NaOH中來(lái)去除AAO。此時(shí)可以用NaOH去除背面的氧化層,然后用氯化銅除去鋁基,*后用NaOH快速去除AAO模板層。具體操作方法請(qǐng)與我們聯(lián)系獲取。
提示:當(dāng)正面AAO裸露時(shí),去除背面AAO的方法:將AAO漂浮于NaOH溶液表面,但是需要首先將樣品正的四周涂覆少量的疏水材料,比如采用PMMA的丙酮溶液,或者直接用高溫膠帶粘住正面四周邊緣,涂覆或粘貼寬度1~3mm即可,目的是在漂浮的時(shí)候防止NaOH溶液蔓延到正面的AAO上。
鋁基AAO模板可以采用SEM或AFM對(duì)膜進(jìn)行表征。由于A(yíng)AO本身不導(dǎo)電,所以當(dāng)AAO的厚度超過(guò)幾微米時(shí),在SEM測(cè)試時(shí)請(qǐng)進(jìn)行噴金或噴碳處理。當(dāng)AAO厚度小于1微米時(shí),可以直接觀(guān)察,無(wú)需噴金或噴碳。截面觀(guān)察時(shí),可以將膜輕輕折彎成90°,彎折處形成新鮮斷面可供觀(guān)測(cè)。當(dāng)單通AAO模板的孔徑與孔間距差別很小的時(shí)候,彎折處很難形成可供觀(guān)測(cè)的截面,彎折法不適用。當(dāng)AAO的厚度達(dá)到幾十微米時(shí),彎折法同樣有局限,因?yàn)閺澱酆笮纬傻牧芽诒容^小,觀(guān)測(cè)時(shí)AAO斷面底部可能會(huì)被擋住一部分,此時(shí)應(yīng)該把彎折角度變大,或者將其折斷來(lái)觀(guān)察斷面。單通AAO厚度在測(cè)量的時(shí)候存在一定的誤差,由于測(cè)試角度等原因,而且膜本身也有一定的厚度波動(dòng),測(cè)試有時(shí)誤差可達(dá)10%,因此膜厚的非常精確的值需要您自行檢測(cè)。
溫馨提示:AAO模板為自下而上的方法制備,屬于自組織結(jié)構(gòu),因此它的孔徑都有一定的分布范圍,而不是單一值,特別是孔間距450nm的模板不均勻性大一些。孔的排列為短程有序(微米級(jí)),每個(gè)有序區(qū)域可稱(chēng)為一個(gè)“籌”,在籌邊界處孔的形狀可能大都不是正圓形。超薄膜的孔徑分布比雙通厚膜以及單通膜寬一些。如果您對(duì)多孔膜的孔徑要求均勻程度非常高,對(duì)孔的圓形程度要求非常高,那么AAO并不是好的選擇。
特別地,孔深40μm以上的單通AAO,對(duì)于孔間距100nm和125nm的單通AAO,當(dāng)孔徑與孔間距的數(shù)值比較接近的規(guī)格,例如SP125-090-50000,它的孔道直徑上下不一致(頂部孔徑約90nm,底部孔徑約60nm),這主要是其成分結(jié)構(gòu)上下不同造成的(參見(jiàn)文獻(xiàn):ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 3441?3448),當(dāng)然也和其單通結(jié)構(gòu)不利于孔的均勻擴(kuò)大有所關(guān)系。
規(guī)格列表中孔深其實(shí)就是有效AAO的厚度,不包括背面氧化層以及中間鋁層的厚度??偟暮穸燃s為0.15~0.2mm。
關(guān)于切割:?jiǎn)瓮ˋAO可以切成更小的片使用,一般不用剪刀來(lái)剪,剪刀容易造成樣品彎曲和膜的開(kāi)裂??梢哉乙粋€(gè)平的桌面或一塊玻璃,鋪上一塊無(wú)塵布,然后將單通AAO反扣在無(wú)塵布上,用直尺和美工刀在背面劃切即可,不需要太用力??梢远鄤潕椎肚械?,也可以在快切掉的時(shí)候停止,然后來(lái)回掰幾次就會(huì)斷開(kāi)。
在您購(gòu)買(mǎi)之前,**能夠與我們的技術(shù)人員溝通,簡(jiǎn)要說(shuō)明您將用AAO制備何種納米結(jié)構(gòu),我們會(huì)給您推薦比較合適的產(chǎn)品規(guī)格。如需要放大倍數(shù)較低的SEM圖,請(qǐng)與我們聯(lián)系。
若單通AAO的正面被諸如高分子材料涂覆,則可從背面進(jìn)行AAO的去除,具體方法參見(jiàn):
AAO膜6月折扣活動(dòng),購(gòu)滿(mǎn)800元立享九折?。?!公司網(wǎng)址:
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利用二次氧化法制備了高度有序的多孔陽(yáng)極氧化鋁膜,以此膜為模板通過(guò)磁控濺射制備了多孔有序的Pt/Ag雙層金屬薄膜,將此金屬薄膜轉(zhuǎn)移到n型單晶硅片上,通過(guò)金屬輔助化學(xué)刻蝕法刻蝕出有序單晶硅納米線(xiàn)陣列.原子
磁性奈米線(xiàn)陣列擁有高密度、高比表面積、高深寬比等特性,對(duì)於磁性?xún)?chǔ)存元件應(yīng)用有良好潛力,而為了以低廉的成本並快速製作鈷奈米線(xiàn)陣列,本研究使用陽(yáng)極氧化鋁(anodic aluminum oxide,AAO