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中科院微電子所開發(fā)出新型半導(dǎo)體納米材料


來源:Solarbe

日前,中科院微電子所在基于下轉(zhuǎn)換原理的高效晶體硅太陽能電池研究中取得進(jìn)展。

  世界光伏新能源產(chǎn)業(yè)近幾年飛速發(fā)展,晶體硅光伏電池仍處于主流地位,占據(jù)78%的市場份額。據(jù)業(yè)界預(yù)測,未來10至15年之內(nèi)晶體硅光伏電池仍將占據(jù)市場主導(dǎo)地位。晶體硅電池的理論極限效率為31%(稱之為Shockley–Queisser極限, S-Q極限),如何突破S-Q極限,大幅度地提高對太陽光的利用率,是世界上光伏研究和產(chǎn)業(yè)界十分關(guān)注的熱點(diǎn)研究方向。

  中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)賈銳研究員所帶領(lǐng)的高效太陽能電池研究團(tuán)隊在所領(lǐng)導(dǎo)和室領(lǐng)導(dǎo)的大力支持下,在國內(nèi)率先開展了半導(dǎo)體納米材料下轉(zhuǎn)換晶體硅高效太陽能電池的研究,通過利用半導(dǎo)體納米材料的尺寸量子限制效應(yīng)來調(diào)節(jié)能帶寬度,增加對短波長波段光的響應(yīng)。

  該課題組目前已成功開發(fā)出新型半導(dǎo)體納米材料,這種新型半導(dǎo)體材料能帶寬度可以根據(jù)尺寸、材料組份等進(jìn)行靈活調(diào)節(jié)。將該下轉(zhuǎn)換材料與大規(guī)模量產(chǎn)型125mm×125mm晶體硅襯底結(jié)合,研制出下轉(zhuǎn)換高效晶體硅電池。在對電池片進(jìn)行封裝后的相應(yīng)的測試表明,下轉(zhuǎn)換晶體硅電池明顯地增強(qiáng)了在300-630nm波段光的吸收和利用,光譜響應(yīng)增加的幅度提高了10%,明顯提高了晶體硅電池的性能。

  賈銳研究員已受邀在2010年8月召開的第二屆中歐國際光伏論壇上作了專題報告,詳細(xì)闡述和介紹了該研究成果,得到了中外專家及產(chǎn)業(yè)界的肯定和一致好評,為中科院微電子所在太陽能電池領(lǐng)域的研究發(fā)展奠定了良好的基礎(chǔ)。
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