三菱材料開發(fā)出了用于薄膜硅型太陽能電池電極的Ag(銀)納米墨、ITO(氧化銦錫)納米墨及SiO2墨。這些墨系將納米顆粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太陽能電池的Si層上后，可以形成名為背面電極的亞微米級厚度的薄膜。其光電轉(zhuǎn)換效率可與原來的真空成膜相當(dāng)。
薄膜硅型太陽能電池的優(yōu)點(diǎn)有：硅用量可減至結(jié)晶硅型的1/100左右、能量償付期(所發(fā)電力達(dá)到制造該產(chǎn)品所需電力的運(yùn)行時間)短、與化合物半導(dǎo)體型太陽能電池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不過，對太陽能電池廠商而言，引進(jìn)多種真空成膜裝置的初期投資成本高是一個很大的問題，需要通過轉(zhuǎn)變成涂布成膜工藝來大幅降低成本。
據(jù)介紹，此次的電極墨，可利用大日本網(wǎng)屏制造(DNS)的涂布裝置“Linearcoater”在1.4m×1.1m的大塊玻璃上穩(wěn)定成膜。這有利于削減薄膜硅型太陽能電池的制造成本。
三菱材料將在2011年11月28日～12月2日于福岡縣福岡市舉行的“21stInternationalPhotovoltaicScienceandEngineeringConference(PVSEC-21)”上公布此次的開發(fā)成果。另外，大日本網(wǎng)屏制造(DNS)將在2011年11月28日～11月30日于中國上海市舉行的“PVChina2011”上介紹這種墨的涂布工藝。
薄膜硅型太陽能電池的優(yōu)點(diǎn)有：硅用量可減至結(jié)晶硅型的1/100左右、能量償付期(所發(fā)電力達(dá)到制造該產(chǎn)品所需電力的運(yùn)行時間)短、與化合物半導(dǎo)體型太陽能電池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不過，對太陽能電池廠商而言，引進(jìn)多種真空成膜裝置的初期投資成本高是一個很大的問題，需要通過轉(zhuǎn)變成涂布成膜工藝來大幅降低成本。
據(jù)介紹，此次的電極墨，可利用大日本網(wǎng)屏制造(DNS)的涂布裝置“Linearcoater”在1.4m×1.1m的大塊玻璃上穩(wěn)定成膜。這有利于削減薄膜硅型太陽能電池的制造成本。
三菱材料將在2011年11月28日～12月2日于福岡縣福岡市舉行的“21stInternationalPhotovoltaicScienceandEngineeringConference(PVSEC-21)”上公布此次的開發(fā)成果。另外，大日本網(wǎng)屏制造(DNS)將在2011年11月28日～11月30日于中國上海市舉行的“PVChina2011”上介紹這種墨的涂布工藝。
