Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅（SiC）標(biāo)準(zhǔn)電源模塊，非常適用于大功率開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該電源模塊系列還擴(kuò)展了溫度范圍，以滿足新一代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。
SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)性，從而提高性能參數(shù)，包括零反向恢復(fù)、不受溫度影響反應(yīng)、耐壓能力和運(yùn)行溫度，使性能、效率和可靠性邁向新高度。
Microsemi的新SiC電源模塊具有多種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可集成到小型封裝。新模塊產(chǎn)品的主體使用氮化鋁（AlN）基板，與散熱片隔離，從而提高了冷卻系統(tǒng)的熱傳導(dǎo)性能。其他功能還包括高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、低輸入電容、低驅(qū)動(dòng)要求、小型化以及最大程度降低寄生電感。
SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)性，從而提高性能參數(shù)，包括零反向恢復(fù)、不受溫度影響反應(yīng)、耐壓能力和運(yùn)行溫度，使性能、效率和可靠性邁向新高度。
Microsemi的新SiC電源模塊具有多種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可集成到小型封裝。新模塊產(chǎn)品的主體使用氮化鋁（AlN）基板，與散熱片隔離，從而提高了冷卻系統(tǒng)的熱傳導(dǎo)性能。其他功能還包括高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、低輸入電容、低驅(qū)動(dòng)要求、小型化以及最大程度降低寄生電感。
