氧化銦和氧化錫均具有優(yōu)良的物理化學性能, 將它們按不同比例混合可以制得電學性能優(yōu)異的n 型半導體材料。90%的氧化銦和10%的氧化錫復合即形成了銦錫復合氧化物ITO 粉體, 反之在氧化錫粉體中適量復合氧化銦又可以得到氣敏性能優(yōu)良的制備電子敏感元件的材料。通訊技術(shù)和顯示技術(shù)的飛速發(fā)展, 用于制備透明膜電極的銦錫氧化物ITO 粉體的需求量急劇增加。目前, 日本、美國、英國、法國等發(fā)達國家金屬銦的產(chǎn)量的一半用于制備銦錫氧化物ITO 粉體。

    本項目以高純金屬銦和高純金屬錫或高純銦和錫的無機鹽為原料, 利用水溶性高分子在溶液中形成復雜的高分子螯合網(wǎng)絡體系, 經(jīng)沉淀劑沉淀結(jié)合超臨界流體抽提制備高比表面積高活性的納米銦錫氧化物復合粉體。

    技術(shù)指標

    顆粒粒度: 10-60nm; 比表面積: > 20m²/g; 純度:> 99. 99%

    應用范圍

    用于制備ITO 靶材，然后經(jīng)直流磁控濺射將靶材制成ITO透明薄膜。這種薄膜具有可見光透明、強烈反射紅外光、膜電阻低的優(yōu)點，因而在液晶顯示、隔熱玻璃、太陽能電池和收集器、車輛窗口去霧防霜等方面具有日
益廣泛的應用。

    改變銦氧化錫粉體的配比可用作制備氣敏性能優(yōu)良的敏感電子元件。

    效益分析

    隨著平板液晶顯示、隔熱玻璃、太陽能電池、車輛窗口去霧除霜、氣敏等技術(shù)的發(fā)展，用于制備透明ITO 薄膜電極的錫銦氧化物( ITO) 需要量急劇增加，具有廣闊的市場需求。

    以高純金屬銦和高純金屬錫或高純銦和錫的無機鹽為原料，主要設備是反應釜等。若生產(chǎn)規(guī)模為100t/年，主要設備投資約200萬元, 廠房面積需1000m²。具有一定的經(jīng)濟效益。

    單位：北京化工大學科技園科技發(fā)展中心
    地址：北京化工大廈511 室
    郵編：100029
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