中國粉體網(wǎng)訊 韓國LED廠商為了和中國業(yè)者競爭，首爾半導(dǎo)體(Seoul Semiconductor)和LG Innotek積極研發(fā)”氮化鎵”(gallium nitride、GaN)襯底，封測廠也有意用硅取代環(huán)氧樹脂(Epoxy)，強(qiáng)化產(chǎn)品效能、延長使用壽命。
韓媒17日報導(dǎo)，目前LED照明以藍(lán)寶石(Sapphire)襯底和碳化硅(SiC)襯底為主，韓廠研究”氮化鎵對氮化鎵”基板(GaN-on-GaN)，稱可以解決差排(dislocation)問題。首爾半導(dǎo)體10多年前投入研發(fā)，取得相關(guān)專利，先前推出過”nPola”產(chǎn)品，亮度比現(xiàn)行LED照明高出5-10倍，該公司宣稱不久后將發(fā)表比nPola更先進(jìn)的產(chǎn)品。
LG Innotek也加入研發(fā)此一科技，但GaN要價高昂，該公司仍在調(diào)整產(chǎn)品推出時程。
封測廠方面，韓廠開始用硅作為封裝材料，取代環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂使用3千-6千小時后會出現(xiàn)色偏移現(xiàn)象，硅使用時間多了10倍，可用3萬-5萬小時。此外，廠商也在研發(fā)比硅更便宜的材質(zhì)。
業(yè)內(nèi)人士表示，GaN和硅的效能都比現(xiàn)行材料好，缺點是價格昂貴，要增加市場競爭力，必須同時壓低價格、提升表現(xiàn)。
日本媒體7月11日報導(dǎo)，東芝(Toshiba)計劃于今年內(nèi)(2014年內(nèi))正式大規(guī)模量產(chǎn)白色LED產(chǎn)品，目標(biāo)為將其月產(chǎn)能大幅擴(kuò)增至現(xiàn)行的150倍。
東芝所生產(chǎn)的白色LED采用該公司與美國白色LED大廠普瑞(Bridgelux；臺積電(2330)轉(zhuǎn)投資公司)共同研發(fā)的”GaN-on-Si”LED組件，和現(xiàn)行采用藍(lán)寶石晶圓的LED組件相比更具有價格競爭力。東芝并于2013年4月收購了普瑞所擁有的GaN-on-Silicon技術(shù)等白色LED芯片相關(guān)資產(chǎn)。
韓媒17日報導(dǎo)，目前LED照明以藍(lán)寶石(Sapphire)襯底和碳化硅(SiC)襯底為主，韓廠研究”氮化鎵對氮化鎵”基板(GaN-on-GaN)，稱可以解決差排(dislocation)問題。首爾半導(dǎo)體10多年前投入研發(fā)，取得相關(guān)專利，先前推出過”nPola”產(chǎn)品，亮度比現(xiàn)行LED照明高出5-10倍，該公司宣稱不久后將發(fā)表比nPola更先進(jìn)的產(chǎn)品。
LG Innotek也加入研發(fā)此一科技，但GaN要價高昂，該公司仍在調(diào)整產(chǎn)品推出時程。
封測廠方面，韓廠開始用硅作為封裝材料，取代環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂使用3千-6千小時后會出現(xiàn)色偏移現(xiàn)象，硅使用時間多了10倍，可用3萬-5萬小時。此外，廠商也在研發(fā)比硅更便宜的材質(zhì)。
業(yè)內(nèi)人士表示，GaN和硅的效能都比現(xiàn)行材料好，缺點是價格昂貴，要增加市場競爭力，必須同時壓低價格、提升表現(xiàn)。
日本媒體7月11日報導(dǎo)，東芝(Toshiba)計劃于今年內(nèi)(2014年內(nèi))正式大規(guī)模量產(chǎn)白色LED產(chǎn)品，目標(biāo)為將其月產(chǎn)能大幅擴(kuò)增至現(xiàn)行的150倍。
東芝所生產(chǎn)的白色LED采用該公司與美國白色LED大廠普瑞(Bridgelux；臺積電(2330)轉(zhuǎn)投資公司)共同研發(fā)的”GaN-on-Si”LED組件，和現(xiàn)行采用藍(lán)寶石晶圓的LED組件相比更具有價格競爭力。東芝并于2013年4月收購了普瑞所擁有的GaN-on-Silicon技術(shù)等白色LED芯片相關(guān)資產(chǎn)。
