中國粉體網(wǎng)訊  低維納米材料由于在發(fā)光和電子輸運等方面有著豐富的物理特性，得到了廣泛關注。日前，北京大學方哲宇、朱星課題組利用石墨烯量子點（GQDs）等離激元實現(xiàn)了對單層MoS2的高效電荷摻雜以及發(fā)光光譜的動態(tài)調(diào)控，相關成果近期發(fā)表于《先進材料》。

　　單層danS2是一種直接帶隙半導體材料，具有較高的光致熒光發(fā)光效率。GQD等離激元的電摻雜效應可以調(diào)控單層MoS2中的激子和三激子復合發(fā)光。近期已有利用電致?lián)诫s、化學分子摻雜MoS2單層的報道，但仍存在摻雜不易調(diào)控、摻雜效率不高等問題，方哲宇等人創(chuàng)新性地制備了GQD/MoS2異質(zhì)結結構，利用石墨烯量子點的等離激元隧穿效應，實現(xiàn)了一種新的高效光控界面摻雜，并通過拉曼光譜和熒光光譜對其進行了表征和分析，發(fā)現(xiàn)摻雜可以對MoS2單層的谷偏振度進行有效調(diào)控。

　　這項研究解釋了碳基量子點材料和二維材料界面電荷轉(zhuǎn)移過程，為新型低維異質(zhì)結材料在生物醫(yī)學傳感、微納電子器件等領域的應用提供了新思路。