中國粉體網(wǎng)訊 摻雜劑可以調(diào)節(jié)
石墨烯的費(fèi)米能級(jí),同時(shí)可以在一定程度上打開
石墨烯的帶隙。雙層石墨烯與單層石墨相比能帶結(jié)構(gòu)有較大差異, AB 堆垛的雙層石墨烯在原始狀態(tài)是零帶隙的半導(dǎo)體。如果能打破這兩層的反向?qū)ΨQ,就可以得到非零帶隙。近年來,經(jīng)過不斷探索,人們發(fā)現(xiàn)通過靜電效應(yīng)摻雜或異質(zhì)化學(xué)摻雜方法可以有效的打開雙層石墨烯帶隙。
1 靜電摻雜
如果給雙層石墨烯施加一個(gè)垂直的電場,打破石墨烯反對(duì)稱的能帶結(jié)構(gòu),就能形成一個(gè)獨(dú)特的帶隙。用上下兩層的雙柵FET結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)這一過程,從而打開雙層石墨烯的帶隙。在石墨烯層上下沉積絕緣介質(zhì),然后構(gòu)造電極形成雙柵,當(dāng)在頂柵和底柵通上不同的電壓Dt 和Db,就會(huì)因載流子分布變化引起摻雜,產(chǎn)生非零帶隙。δD=Db-Dt 變化時(shí),雙層石墨烯的帶隙隨著變化。
2 異質(zhì)化學(xué)摻雜
將雙層石墨烯先轉(zhuǎn)移到NH2-基功能化的自組裝層上,實(shí)現(xiàn)對(duì)下層石墨烯的n型摻雜;然后在雙層石墨烯上層熱沉積2,3,5,6-四氟乙烯-7,7,8,8-醌二甲烷(F4-TCNQ)分子,形成p型摻雜(F4-TCNQ 中氰基和氟代組吸引電子的特性引起p型摻雜)。經(jīng)過這樣處理的雙層石墨烯電子能帶可以明顯打開,其帶隙比只摻雜一種摻雜劑的更寬。有些研究小組還實(shí)現(xiàn)了用其他摻雜劑來分別進(jìn)行n型/p型摻雜打開石墨烯帶隙。原理和上面的類似,只是n型摻雜劑換成了聯(lián)芐吡啶(benzyl viologen), p 型摻雜劑換成了HfO2。
版權(quán)與免責(zé)聲明:
① 凡本網(wǎng)注明"來源:中國粉體網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于中國粉體網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來源:中國粉體網(wǎng)"。違者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
② 本網(wǎng)凡注明"來源:xxx(非本網(wǎng))"的作品,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),且不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)下載使用,必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源",并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
③ 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起兩周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。