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黑磷有望取代硅成新型半導體材料


來源:財聯(lián)社

[導讀]  中科院固體所物質計算科學研究室鄒良劍研究員與中國科技大學陳仙輝教授研究團隊以及香港大學沈順清教授合作,在靜水壓調控塊體黑磷的電子結構研究方面取得重要進展,證明壓力下黑磷可以從半導體轉變成狄拉克半金屬,黑磷有望借此技術向半導體材料邁出重要一步,取代石墨烯也并非沒有可能。

中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)中科院消息,固體所物質計算科學研究室鄒良劍研究員與中國科技大學陳仙輝教授研究團隊以及香港大學沈順清教授合作,在靜水壓調控塊體黑磷的電子結構研究方面取得重要進展,證明壓力下黑磷可以從半導體轉變成狄拉克半金屬。有業(yè)內(nèi)人士預計,黑磷有望借此技術向半導體材料邁出重要一步,取代石墨烯也并非沒有可能。

作為二維材料的典型代表,石墨烯的研發(fā)榮獲了2010年諾貝爾物理學獎,并掀起了人們研究二維材料的熱潮。然而,由于石墨稀本身沒有帶隙,限制了它在半導體工業(yè)和光學器件等領域的應用。2014年,與石墨烯一樣擁有二維層狀結構的黑磷,被視為新的超級材料,剛一出現(xiàn)就引起了全世界的廣泛關注。


黑磷的光學性能同其它半導體相比也有巨大優(yōu)勢,它的半導體帶隙是直接帶隙,即導帶底部和價帶頂部在同一位置,這意味著黑磷可以和光直接耦合,構筑新一代光電器件。此外,黑磷還具有獨特的力學、電學和熱學的各向異性。盡管黑磷已在多個領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力,它卻存在著一個致命缺陷:缺乏穩(wěn)定性。當接觸水和氧氣時,黑磷層片會在極短時間內(nèi)氧化進而降解掉。這一缺陷極大地限制了黑磷的研究和工業(yè)應用。

業(yè)內(nèi)人士指出,這種高穩(wěn)定性黑磷的成功制備,無疑可有效推動黑磷在光電器件等領域的工業(yè)應用,還將極大促進其在能源、催化、生物醫(yī)學等領域的深入研究。黑磷有望成為新的熱門半導體材料,A股市場上從事磷化工的企業(yè)在生產(chǎn)黑磷上具備先發(fā)優(yōu)勢,有望從中受益。

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