中國(guó)粉體網(wǎng)訊  太赫茲波是頻率在0.1THz到10THz波段的電磁波。相比于毫米波和微波，太赫茲波由于波長(zhǎng)較短，因此具有更好的空間分辨率(~0.1 mm)和時(shí)間分辨率(~ pS）；相比于可見(jiàn)和紅外光，太赫茲由于波長(zhǎng)較長(zhǎng)，因此具有良好的穿透性。此外，由于太赫茲波的能量較�。▇ meV)，因此與物質(zhì)作用時(shí)不會(huì)造成損傷。太赫茲波的獨(dú)特特點(diǎn)讓太赫茲波在安檢成像、寬帶通信、雷達(dá)、材料的無(wú)損檢測(cè)和太赫茲波譜等方面具有很大的運(yùn)用前景。

但是受限于太赫茲波與材料較弱的相互作用，太赫茲波從產(chǎn)生、調(diào)控到探測(cè)的效率非常的低，阻礙了太赫茲波技術(shù)的實(shí)際運(yùn)用。因此開(kāi)發(fā)出高效的太赫茲波元器件是推進(jìn)太赫茲波應(yīng)用技術(shù)的關(guān)鍵。 

太赫茲波調(diào)制器件能夠通過(guò)激勵(lì)信號(hào)（光、電、熱等）調(diào)節(jié)太赫波的強(qiáng)度�，F(xiàn)目前調(diào)節(jié)的機(jī)理是通過(guò)激勵(lì)信號(hào)改變超結(jié)構(gòu)的電磁振蕩或者通過(guò)激勵(lì)信號(hào)迅速的改變材料的導(dǎo)電性。比如硅基片里的光生載流子能造成透過(guò)的太赫茲波強(qiáng)度降低。因此硅基片常被用來(lái)作為太赫茲波的光調(diào)制器件。但是硅作為太赫茲波的光調(diào)制器件，其調(diào)制深度很低，需要非常大的激光功率才能得到較大的調(diào)制深度。

近期，電子科技大學(xué)的文天龍副教授、文岐業(yè)教授、張懷武教授及其合作者通過(guò)在本征硅上面覆蓋一層6 nm的金納米顆粒單層膜將其調(diào)制深度在100 mW的激光照射下提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。而且金納米顆粒單層膜的覆蓋并沒(méi)有增加器件的插入損耗。  

由于自組裝技術(shù)制備的金納米顆粒單層膜在器件尺寸內(nèi)一致均勻，因此對(duì)太赫茲波調(diào)制的加強(qiáng)在整個(gè)器件上是均勻的：即運(yùn)用該調(diào)制器，通過(guò)光在二維平面上的像素點(diǎn)的開(kāi)關(guān)可以有效均勻的控制太赫茲波在二維像素點(diǎn)的通過(guò)或阻隔。因此該技術(shù)可以用于太赫茲波空間調(diào)制器，用于代替太赫茲波壓縮感知成像中的機(jī)械模板，顯著提高成像的速度和質(zhì)量。