中國粉體網(wǎng)訊  提起半導體，今天的人們并不感到陌生。它已滲入人類社會生活的方方面面，從手機到計算機，從飛機到產(chǎn)業(yè)機械，從云端和移動通訊到分子集半導體制造，到處都可以看到半導體的身影，半導體正悄無聲息地改變著我們的生活。科技的飛速發(fā)展總是離不開科研學者們孜孜不倦地努力，在我國半導體界就有這么一位院士……

褚君浩（1945年3月20日—），江蘇宜興人，中國半導體物理和器件專家，中國科學院上海技術(shù)物理研究所研究員、紅外物理學家�，F(xiàn)任中國科學院上海技術(shù)物理研究所研究員、博士生導師，中國科學院上海技術(shù)物理研究所學位委員會副主任，SCI期刊《紅外與毫米波學報》主編，華東師范大學信息科學與技術(shù)學院院長，兼任上海市科協(xié)副主席、中國光學工程學會常務理事。

人物經(jīng)歷

1966年，畢業(yè)于上海師范學院（現(xiàn)上海師范大學）物理系，被分到上海市梅隴中學當物理老師。

1978年，考上中科院上海技術(shù)物理研究所研究生。

1981年，獲得中國科學院上海技術(shù)物理研究所碩士學位。

1984年，獲得中國科學院上海技術(shù)物理研究所博士學位。

1984年12月起，擔任中科院技術(shù)物理研究所物理室副主任。

1986年2月至1988年10月，他獲得德國洪堡基金，赴德國慕尼黑技術(shù)大學物理系從事半導體二維電子氣研究。

1993年7月，任中科院紅外物理國家重點實驗室主任。

2005年，褚君浩正式當選中科院院士。

科研成就

褚君浩院士長期從事紅外光電子材料和器件的研究，開展了用于紅外探測器的窄禁帶半導體碲鎘汞（HgCdTe）和鐵電薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁帶寬度等關(guān)系式，被國際上稱為CXT公式，廣泛引用并認為與實驗結(jié)果最符合建立了研究窄禁帶半導體MIS器件結(jié)構(gòu)二維電子氣子能帶結(jié)構(gòu)的理論模型發(fā)現(xiàn)HgCdTe的基本光電躍遷特性，確定了材料器件的光電判別依據(jù)開展鐵電薄膜材料物理和非制冷紅外探測器研究，研制成功PZT和BST鐵電薄膜非制冷紅外探測器并實現(xiàn)了熱成像。

興趣與努力缺一不可

褚君浩院士從小就熱愛科學，尤其對物理學情有獨鐘。高考的時候物理更是考了滿分！都說興趣是最好的老師，這句話在褚君浩院士身上得到了很好的驗證。但是任何成功都離不開努力，褚君浩院士不僅熱愛物理，還不斷努力地學習物理。1978年，我國恢復了研究生制度后褚君浩院士通過勤奮刻苦的努力考到中科院上海技術(shù)物理研究所，于1978年10月成為中科院上海技術(shù)物理研究所第一屆研究生，師從湯定元先生學習和研究窄禁帶半導體紅外光電子物理。這之后在學術(shù)的殿堂里，他如魚得水，科學研究一干就是一輩子……

從無數(shù)優(yōu)秀的前輩學者身上我們看到成功某種意義上來說就是一直堅持在自己喜歡的領域努力鉆研，只要我們具備“鐵杵磨成針”的信念，終有一天會在自己的領域發(fā)光發(fā)熱！