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石墨烯改性方法獲新突破,其電、光學(xué)性質(zhì)發(fā)生巨變


來源:材料科技在線

[導(dǎo)讀]  由國(guó)家電子技術(shù)研究所(俄羅斯)、FuxungsZuncU-JuliCH(德國(guó))和AIMEN技術(shù)中心(西班牙)組成的國(guó)際研究團(tuán)隊(duì),開發(fā)了一種石墨烯改性的方法。作者利用超快激光功能化的單層CVD石墨烯,無掩模制造了微型納米器件。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  石墨烯由于其獨(dú)特的化學(xué)和物理性質(zhì),是最有前途的先進(jìn)電子材料之一。由于石墨烯晶格和光之間產(chǎn)生了相互作用,由此開辟了具有優(yōu)異功能的新型器件的發(fā)展方向。然而,用于傳統(tǒng)硅電子學(xué)的技術(shù)不大可能適用于石墨烯。光刻技術(shù)是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的主要工藝,這種技術(shù)使用聚合物和液體,可以極大地改變石墨烯的初始性質(zhì)。新型無掩膜方法在石墨烯技術(shù)中得到了積極迅速的發(fā)展。

由國(guó)家電子技術(shù)研究所(俄羅斯)、FuxungsZuncU-JuliCH(德國(guó))和AIMEN技術(shù)中心(西班牙)組成的國(guó)際研究團(tuán)隊(duì),開發(fā)了一種石墨烯改性的方法。作者利用超快激光功能化的單層CVD石墨烯,無掩模制造了微型納米器件。作者認(rèn)為,飛秒激光在石墨烯上運(yùn)動(dòng)的區(qū)域,產(chǎn)生了光化學(xué)反應(yīng)(僅在光下曝光的反應(yīng)),從而導(dǎo)致石墨烯通過氧化基團(tuán)改性。這些基團(tuán)極大地改變了石墨烯的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),提供了功能性器件開發(fā)的新方法,這種方法不使用任何復(fù)雜的基于掩膜的技術(shù)。

作者通過FS激光脈沖在石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管中產(chǎn)生了P- P 結(jié)。制作的光電探測(cè)器在室溫下就可以工作,而且不需要外部冷卻。在改性結(jié)構(gòu)中觀察到100 mA/W的最高光響應(yīng)率。



在飛秒脈沖激光處理下,石墨烯的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)都發(fā)生了巨大的變化
圖片來源:俄羅斯國(guó)立電子科技大學(xué) (MIET)



在氧化石墨烯結(jié)中觀察到局部光電流的產(chǎn)生。
圖片來源:俄羅斯國(guó)立電子科技大學(xué) (MIET)

這項(xiàng)研究提供了納米材料完全無掩模方法制備的第一步。在FS激光處理過程中,改變環(huán)境可能導(dǎo)致石墨烯表面的不同官能化。此外,其他的2-D材料,如磷烯,可以提供非常好的光化學(xué)活性,并且可以以相同的方式對(duì)它處理。研究表明,通過超快激光處理,在石墨烯表面無掩模構(gòu)圖是可行的,可以制備具有效率高、低噪聲和高線性動(dòng)態(tài)范圍的全集成光電探測(cè)器。

研究人員在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)出版物《ACS光子學(xué)》中進(jìn)一步討論了他們的技術(shù)。

文章來自phys網(wǎng)站,原文題目為High photoresponsivity in modified upon maskless processing graphene detectors,由材料科技在線匯總整理。


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/平安)

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