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大面積單晶石墨烯薄膜快速制備技術(shù)取得突破


來源:北京市科委

[導(dǎo)讀]  在北京市科委支持下,北京大學(xué)彭海琳教授團(tuán)隊發(fā)明了“單一晶種快速生長法”和“陣列晶種同向拼接法”等多種大面積單晶石墨烯薄膜的快速制備技術(shù),運(yùn)用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單晶石墨烯薄膜制備面積達(dá)到英寸級。

中國粉體網(wǎng)訊  近期,北京市科技計劃課題“大面積單晶石墨烯薄膜快速制備技術(shù)研究”驗收通過專家組驗收。

石墨烯材料性質(zhì)優(yōu)異,可用于構(gòu)筑高性能微納電子器件和柔性透明導(dǎo)電薄膜,同時也能作為優(yōu)異的支撐、封裝和阻隔材料。大面積高質(zhì)量的石墨烯薄膜是這些高端應(yīng)用的材料基礎(chǔ)。作為制備大面積高質(zhì)量石墨烯薄膜材料的首選方法,化學(xué)氣相沉積法制備的石墨烯薄膜存在疇區(qū)尺寸小、晶界和缺陷密度高、大疇區(qū)石墨烯生長速度慢、產(chǎn)能低等問題,嚴(yán)重制約了石墨烯薄膜的應(yīng)用。

在北京市科委支持下,北京大學(xué)彭海琳教授團(tuán)隊發(fā)明了“單一晶種快速生長法”和“陣列晶種同向拼接法”等多種大面積單晶石墨烯薄膜的快速制備技術(shù),運(yùn)用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單晶石墨烯薄膜制備面積達(dá)到英寸級,生長速度0.36cm/min,并成功研發(fā)了高質(zhì)量石墨烯薄膜和石墨烯大單晶晶圓的量產(chǎn)裝備。另外,團(tuán)隊還通過發(fā)展大單晶石墨烯的骨架摻雜的生長技術(shù)獲得了高導(dǎo)電性和高透光性的石墨烯單晶薄膜。此外,通過對生長有石墨烯的銅箔基底直接進(jìn)行選擇性刻蝕,實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量石墨烯單晶支撐膜的低成本批量制備,支撐膜面積大于100mm2,并可用作原子級分辨率透射電鏡成像載網(wǎng)。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安)

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