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【原創(chuàng)】亟待提高的關(guān)鍵技術(shù)——高純二氧化硅的合成


來源:中國粉體網(wǎng)   墨玉

[導(dǎo)讀]  高純二氧化硅是一種性能較好的硅材料,具有良好的物理性質(zhì),例如抗劃傷、耐高溫、耐腐蝕等,主要應(yīng)用在高科技領(lǐng)域,用來制備石英玻璃、集成電路板、光纖通訊、多晶硅以及光學(xué)儀器等。

中國粉體網(wǎng)訊  高純二氧化硅是一種性能較好的硅材料,具有良好的物理性質(zhì),例如抗劃傷、耐高溫、耐腐蝕等,主要應(yīng)用在高科技領(lǐng)域,用來制備石英玻璃、集成電路板、光纖通訊、多晶硅以及光學(xué)儀器等。近些年來,由于高純二氧化硅在電子封裝領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用極大地提升了其市場價(jià)值,當(dāng)純度達(dá)到6N(99.9999%)時(shí)其售價(jià)可達(dá)到數(shù)萬美金一噸。




“高純二氧化硅”通常是指二氧化硅中含有的金屬雜質(zhì)總量小于10×10-6,單個(gè)非金屬雜質(zhì)含量小于10×10-6。當(dāng)應(yīng)用于電子領(lǐng)域時(shí),還要求高純二氧化硅中的放射性元素U和Th各小于1.0×10-9,有的甚至要求U和Th各小于0.1×10-9


高純二氧化硅大體上分為兩類:天然的和合成的。天然的二氧化硅是由石英、硅石等通過精制而得,但其中的放射性元素U和Th只能降至1.0×10-9左右,難以滿足電子材料的要求。而合成高純二氧化硅可由硅的鹵化物、硅醇或硅酸鈉制得,其質(zhì)量可以滿足電子領(lǐng)域的要求。合成高純二氧化硅的方法有以下三種。


1氣相法


該工藝的主要原料包括四氯化硅和甲基三氯硅烷。利用硅烷與氫氣氧氣混合后,高溫條件下發(fā)生水解生成無定型的SiO2,溫度需要達(dá)到1200~1600℃,然后通過驟然降溫、旋風(fēng)分離等氣固分離得到產(chǎn)品。反應(yīng)原理用反應(yīng)式表示為:




工藝流程圖如下:




氣相法SiO2生產(chǎn)流程


工藝特點(diǎn):生產(chǎn)工藝簡單;由于過程中需要高溫環(huán)境,所以對設(shè)備要求高;制備的SiO2產(chǎn)品品質(zhì)好,生產(chǎn)成本較高。


2沉淀法


目前國內(nèi)SiO2需求量的70%是通過沉淀法制備的。沉淀法的主要原料是水玻璃,即硅酸鈉。沉淀法生產(chǎn)SiO2的原理是使硅酸鈉與空氣中的二氧化碳或酸溶液反應(yīng)生成偏硅酸沉淀,經(jīng)過濾、洗滌、干燥、煅燒后得到SiO2。反應(yīng)方程式如下:




工藝特點(diǎn):該生產(chǎn)工藝操作簡單,條件易控制,生產(chǎn)成本低,但是產(chǎn)品性能不高,純度低,容易發(fā)生團(tuán)聚,粒徑大。


3溶膠—凝膠法


溶膠凝膠法制備SiO2的原理是利用金屬鹽的水解,水解過程中會(huì)產(chǎn)生凝膠,過濾并對凝膠中的有機(jī)溶劑進(jìn)行洗滌,干燥后得到產(chǎn)品SiO2。工藝過程原理用下面的方程式表示:




工藝特點(diǎn):生產(chǎn)工藝簡單,對設(shè)備的要求低,生產(chǎn)過程中除了原料有機(jī)溶劑沒有添加其他物質(zhì),所以制備出的SiO2是純凈的,雜質(zhì)含量較少。但是,因?yàn)閷?shí)驗(yàn)過程中可變因素較多,不能達(dá)到準(zhǔn)確控制,目前只停留在實(shí)驗(yàn)室小試階段。


2019年10月30日-31日,由中國粉體網(wǎng)主辦的“2019全國石英大會(huì)”將在江蘇徐州舉行,屆時(shí)來自武漢工程大學(xué)的姜興茂教授將帶來《高純晶體二氧化硅的人工合成》的精彩報(bào)告,介紹更多關(guān)于高純二氧化硅的關(guān)鍵技術(shù)的探討,敬請期待!


姜興茂個(gè)人簡介


 姜興茂,男,新墨西哥大學(xué)化學(xué)工程博士,國家特聘專家,江蘇省雙創(chuàng)人才。現(xiàn)為武漢工程大學(xué)教授,博士生導(dǎo)師,美國Lovelace呼吸研究所客座科學(xué)家。在美國期間,曾完成美國能源部、美國空軍、美國自然科學(xué)基金、美國國立衛(wèi)生研究院等重大研究項(xiàng)目;貒詠硐群笾鞒只騾⑴c國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、重點(diǎn)項(xiàng)目三項(xiàng)。發(fā)表SCI論文60多篇,引用超過2000次。2011年獲美國新墨西哥大學(xué)創(chuàng)造發(fā)明獎(jiǎng)。出版英文學(xué)術(shù)專著1部。已申請或授權(quán)國內(nèi)外發(fā)明專利60多項(xiàng),其中,已授權(quán)美國發(fā)明專利10項(xiàng)。2016年獲中國產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新獎(jiǎng)、江蘇省優(yōu)秀企業(yè)家。


參考來源:

盧芳儀.高純二氧化硅的研制

張琪.氨化法制備高純二氧化硅及高純石英的過程研究

徐偉.以天然硅藻土為原料的高純二氧化硅制備以及純度表征


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/墨玉)

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作者:墨玉

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