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搶占第三代半導(dǎo)體風(fēng)口,中科鋼研加速碳化硅布局


來源:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟

[導(dǎo)讀]  作為第三代半導(dǎo)體材料“雙雄”之一,碳化硅(SiC)憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能表現(xiàn),成為當(dāng)今最受關(guān)注的半導(dǎo)體材料之一。國(guó)內(nèi)不乏SiC勢(shì)力,中科鋼研就是其一。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  作為第三代半導(dǎo)體材料“雙雄”之一,碳化硅(SiC)憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能表現(xiàn),成為當(dāng)今最受關(guān)注的半導(dǎo)體材料之一。國(guó)內(nèi)不乏SiC勢(shì)力,中科鋼研就是其一。


中科鋼研是由國(guó)務(wù)院國(guó)資委于2016年批復(fù)成立的新型央企控股混合所有制企業(yè)。據(jù)其官網(wǎng)介紹,中科鋼研先后開發(fā)了高品質(zhì)、大規(guī)格藍(lán)寶石晶體制備工藝技術(shù)及長(zhǎng)晶裝備;高品質(zhì)碳化硅晶體及襯底片制備工藝技術(shù)及長(zhǎng)晶裝備;石墨烯碳納米電熱膜生產(chǎn)工藝技術(shù)及生產(chǎn)線等多項(xiàng)達(dá)到國(guó)際一流技術(shù)水平。上述多項(xiàng)技術(shù)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)行業(yè)空白。


2017年2月,中科鋼研“碳化硅重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”獲評(píng)為“第三代半導(dǎo)體材料制備關(guān)鍵共性技術(shù)北京市工程實(shí)驗(yàn)室”,并于2018年先后被選舉為“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”第一屆副理事長(zhǎng)單位,“中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟”副理事長(zhǎng)單位。


據(jù)悉,該實(shí)驗(yàn)室根據(jù)產(chǎn)品市場(chǎng)前景、技術(shù)的先進(jìn)性與成熟性選擇了升華法和高溫化學(xué)氣相沉積法兩種長(zhǎng)晶技術(shù)作為研發(fā)方向,快速掌握了高品質(zhì)、大規(guī)格碳化硅長(zhǎng)晶工藝技術(shù)及其裝備。


在剛剛過去的2019年,中科鋼研第三代半導(dǎo)體布局也取得一些進(jìn)展。




2019年2月23日,位于南通的中科鋼研產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目開工,該項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,可年產(chǎn)石墨烯碳納米電熱膜1200萬延米、4英寸N型碳化硅晶體襯底片5萬片、6英寸N型碳化硅晶體襯底片5萬片、4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片1萬片、4/6英寸碳化硅電力電子芯片6萬片。


2019年3月,位于青島市萊西經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的中科鋼研碳化硅項(xiàng)目傳出新消息,預(yù)計(jì)項(xiàng)目在2019年投產(chǎn)。中科鋼研碳化硅青島項(xiàng)目總投資10億元,主要生產(chǎn)高品質(zhì)、大規(guī)格碳化硅晶體襯底片。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片,5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。


技術(shù)方面,在2019年5月10日,中科鋼研官方也表示,其具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的六英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)裝備順利投入使用,進(jìn)入六英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝驗(yàn)證階段。


從去年9月落地的中科鋼研上海先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,也能看出中科鋼研的技術(shù)實(shí)力。


2019年9月5日,中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約落地上海寶山區(qū),項(xiàng)目擬建設(shè)以上?偛炕貫楹诵,擁有國(guó)內(nèi)外多個(gè)碳化硅晶體材料、碳化硅微粉、碳化硅電子電力芯片生產(chǎn)基地。


據(jù)悉,該項(xiàng)目系中科鋼研與國(guó)宏華業(yè)在引進(jìn)日本升華法(PVT),高溫化學(xué)氣相沉積法(HTCVD)及俄羅斯電阻加熱升華法等國(guó)際一流碳化硅長(zhǎng)晶工藝技術(shù)與裝備的基礎(chǔ)上,通過三年來的技術(shù)消化吸收再創(chuàng)新,通過工藝建模、數(shù)值模擬、設(shè)備集成、工藝試驗(yàn)等方面的系統(tǒng)性工作,在碳化硅長(zhǎng)晶專用裝備、碳化硅高純度原料合成、碳化硅單晶生長(zhǎng)及襯底片加工工藝方面取得了較大進(jìn)展,形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的以碳化硅單晶生長(zhǎng)核心工藝技術(shù)為代表的完整工藝技術(shù)體系。


該工藝技術(shù)體系,覆蓋了碳化硅晶體與襯底片生產(chǎn)的全工藝環(huán)節(jié),保證了碳化硅襯底片產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)、質(zhì)量穩(wěn)定性和成本可控性有很大的突出優(yōu)勢(shì)。


當(dāng)時(shí)中科鋼研方面表示,力爭(zhēng)用3到5年時(shí)間,將中科鋼研與其戰(zhàn)略合作伙伴聯(lián)合創(chuàng)設(shè)的國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司建設(shè)成以上?偛炕貫楹诵模瑩碛袊(guó)內(nèi)外多個(gè)碳化硅晶體材料、碳化硅微粉、碳化硅電子電力芯片生產(chǎn)基地,產(chǎn)品銷售與服務(wù)中心的,國(guó)內(nèi)科研水平最高、產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大、上下游產(chǎn)業(yè)鏈較為完整、產(chǎn)業(yè)示范引領(lǐng)作用最大的,以碳化硅半導(dǎo)體材料為代表,聚集第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用技術(shù)與產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)集團(tuán)。


此外,中科鋼研與露笑科技也加強(qiáng)了合作。11月26日,露笑科技公告稱與中科鋼研、國(guó)宏中宇正式簽署了碳化硅項(xiàng)目的戰(zhàn)略合作協(xié)議,協(xié)議期限為2年,各方將密切合作打造世界級(jí)的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)。


如今正值第三代半導(dǎo)體風(fēng)口,中科鋼研加速碳化硅產(chǎn)業(yè)布局,未來或可期。

(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/茜茜)

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