中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日，國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商小米發(fā)布GaN（氮化鎵）充電器，業(yè)界再次將目光投向第三代半導(dǎo)體。在小米新品直播發(fā)布會(huì)上，小米發(fā)布的一款采用GaN材料的充電器——“小米GaN充電器Type-C 65W”（以下簡(jiǎn)稱“小米GaN充電器”）成為發(fā)布會(huì)的亮點(diǎn)之一。

據(jù)了解，GaN是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，廣泛應(yīng)用于航天和軍事等領(lǐng)域，具有超強(qiáng)的導(dǎo)熱效率、耐高溫和耐酸堿等特性，用于充電器上可使充電器實(shí)現(xiàn)小體積和輕重量，在充電功率轉(zhuǎn)換上相比同功率充電器（非GaN）更具優(yōu)勢(shì)。

據(jù)介紹，小米GaN充電器最高支持65W快速充電，搭配小米10 Pro可實(shí)現(xiàn)50W快充，還可為筆記本充電。小米方面表示，小米GaN充電器在GaN的加持下，體積比小米筆記本標(biāo)配適配器小約48%，充電效率方面，45分鐘可使小米10 Pro的電量從0%充至100%。

小米的合作伙伴納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor Inc）發(fā)文表示，小米GaN充電器采用納微半導(dǎo)體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，它們針對(duì)高頻、軟開(kāi)關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，通過(guò)FET、驅(qū)動(dòng)器和邏輯的單片集成提供了一個(gè)非常小、非�？臁⒁子谑褂玫摹皵�(shù)字輸入，電源輸出”高性能電源轉(zhuǎn)換模塊。

資料顯示，納微半導(dǎo)體成立于2014年，總部位于美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多，是一家GaN Power IC公司，自成立以來(lái)就專注于GaN材料的技術(shù)運(yùn)用和創(chuàng)新。納微半導(dǎo)體表示GaNFast功率IC的運(yùn)行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍。

據(jù)納微半導(dǎo)體披露，小米在早些時(shí)候已投資了納微半導(dǎo)體，為此次合作奠定了基礎(chǔ)。小米的投資策略是通過(guò)資金注入，確定產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，同時(shí)兼顧投資和業(yè)務(wù)的雙重收益。納微半導(dǎo)體表示，通過(guò)這次合作公司也得以拓寬銷(xiāo)售渠道。

事實(shí)上，目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)有不少企業(yè)布局以GaN、SiC（碳化硅）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，包括華為、三安光電、耐威科技、海特高新、華潤(rùn)微、士蘭微等。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，GaN產(chǎn)業(yè)鏈包括上游的材料（襯底和外延片）、中游的器件和模組、下游的系統(tǒng)和應(yīng)用，而目前國(guó)內(nèi)在各環(huán)節(jié)均已有企業(yè)涉足。

在GaN襯底方面，國(guó)內(nèi)有中稼半導(dǎo)體、中晶半導(dǎo)體、納維科技、鎵特半導(dǎo)體等企業(yè)；在GaN外延片方面，國(guó)內(nèi)有晶湛半導(dǎo)體、聚能晶源、世紀(jì)金光、聚力成半導(dǎo)體等企業(yè)；在GaN制造方面，國(guó)內(nèi)有海威華芯、三安集成、士蘭微等；能訊高能半導(dǎo)體、能華微電子、英諾賽科、大連芯冠科技、江蘇華功半導(dǎo)體等企業(yè)則為GaN IDM企業(yè)。

至于應(yīng)用方面，GaN此前更多地應(yīng)用于航天及軍事等領(lǐng)域，5G時(shí)代到來(lái)將為GaN帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇，如今隨著小米等終端企業(yè)發(fā)布GaN充電器，引起了市場(chǎng)關(guān)注，未來(lái)將有望在更多消費(fèi)電子產(chǎn)品看到GaN的身影。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/初末）

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