中國粉體網(wǎng)訊  近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎(chǔ)國家重點實驗室研究員傅強團隊與臺積電（TSMC）Lain-Jong Li團隊、臺灣交通大學Wen-Hao Chang團隊、美國萊斯大學B. I. Yakobson團隊、北京大學教授張艷峰團隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層薄膜。

　　六方氮化硼是一類重要的二維半導體層狀材料，如何在晶圓上實現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應(yīng)用于集成電路中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。研究人員在藍寶石基底上生長表面取向為（111）的無晶界單晶銅薄膜，以此作為襯底進一步制備完全有序的六方氮化硼晶圓片。對大面積單層薄膜結(jié)構(gòu)單晶性質(zhì)的表征和確認是兩維材料研究中一個公認難題。研究人員借助于實驗室自行研制的深紫外激光PEEM/LEEM裝備，利用其特有的表面微區(qū)成像和衍射功能，在1英寸晶圓表面上選取近百個微米尺寸的微區(qū)進行結(jié)構(gòu)分析，實驗結(jié)果證實，六方氮化硼薄膜與Cu(111)襯底表面取向完全一致，確認了該單層薄膜的單晶特性。

　　相關(guān)成果發(fā)表在《自然》（Nature）上。該工作得到國家自然科學基金科學中心項目、中科院戰(zhàn)略性先導科技專項B類“能源化學轉(zhuǎn)化的本質(zhì)與調(diào)控”、國家重大科研裝備研制項目等資助。

大連化物所等利用深紫外激光PEEM/LEEM表征晶圓六方氮化硼結(jié)構(gòu)研究獲進展

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/墨玉）

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