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助力“新基建”提速 第三代半導體產(chǎn)業(yè)需“錯位發(fā)展”防泡沫


來源:科技日報

[導讀]  “新基建”是近期熱詞之一。國家發(fā)改委近日首次明確新型基礎設施的范圍——新型基礎設施是以新發(fā)展理念為引領,以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動,以信息網(wǎng)絡為基礎,面向高質(zhì)量發(fā)展需要,提供數(shù)字轉(zhuǎn)型、智能升級、融合創(chuàng)新等服務的基礎設施體系。

中國粉體網(wǎng)訊  “新基建”是近期熱詞之一。國家發(fā)改委近日首次明確新型基礎設施的范圍——新型基礎設施是以新發(fā)展理念為引領,以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動,以信息網(wǎng)絡為基礎,面向高質(zhì)量發(fā)展需要,提供數(shù)字轉(zhuǎn)型、智能升級、融合創(chuàng)新等服務的基礎設施體系。


“在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的‘新基建’主要領域中,第三代半導體均可發(fā)揮重要作用! 北京大學寬禁帶半導體研究中心沈波教授介紹道,第三代半導體即寬禁帶半導體,以碳化硅和氮化鎵為代表,具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能,是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點核心材料和電子元器件。


沈波解釋說,相比于目前在功率半導體領域依然占主流地位的傳統(tǒng)硅基器件,第三代半導體功率電子器件可使電子和電器設備進一步高效化、小型化、智能化。例如,耐高壓、大電流、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊,可大規(guī)模應用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車等領域;高效率、小體積、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊,則可大規(guī)模應用于新一代通用電源,如大數(shù)據(jù)中心、移動通信基站、物聯(lián)網(wǎng)終端設備的電源,以及手機、筆記本電腦的電源適配器、無線快充電源等領域,具有巨大技術(shù)優(yōu)勢和市場空間。


其中,第三代半導體射頻電子器件在民用和軍用領域都已實現(xiàn)規(guī);瘧。尤其是,由于具備高頻、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢,氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動通信基站建設中發(fā)揮著不可替代的作用,我國5G建設提速,將觸發(fā)對氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。


放眼國際,2019年全球半導體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷期,但第三代半導體技術(shù)、產(chǎn)品、市場、投資均呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢,龍頭企業(yè)紛紛加強在第三代半導體領域的布局,通過調(diào)整業(yè)務領域,擴大產(chǎn)能供給,整合并購,增強競爭能力。相比之下,我國第三代半導體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)處于起步階段,已初步形成從材料、器件到應用的全產(chǎn)業(yè)鏈,但整體技術(shù)水平還落后世界頂尖水平3—5年,亟須突破材料、器件、封裝及應用等環(huán)節(jié)的核心關鍵技術(shù)和可靠性、一致性等工程化應用問題。


“‘新基建’提速為我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了寶貴機遇,國內(nèi)市場對第三代半導體材料和器件的需求快速提升,終端應用企業(yè)也在調(diào)整供應鏈,扶持國內(nèi)企業(yè),此前難以進入供應鏈的產(chǎn)業(yè)鏈上中游產(chǎn)品將獲得下游用戶驗證機會,進入多個關鍵廠商供應鏈!钡谌雽w產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山說。


近日發(fā)布的《第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展報告(2019年)》預測,2024年我國第三代半導體電力電子器件應用市場規(guī)模將近200億元,未來5年復合增長率超過40%。


面對難得機遇,于坤山建議,我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)更應腳踏實地,行穩(wěn)致遠。“過去幾年政策資源大量傾斜,多地將第三代半導體列為重點支持產(chǎn)業(yè),多措并舉招攬項目,也造成了一些低水平的重復。鑒于此,各地在大力支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時,還需關注協(xié)調(diào)、錯位發(fā)展,做好項目甄別,結(jié)合地方已有產(chǎn)業(yè)、人才和資源優(yōu)勢,考慮財政承載力和政策成本收益率,因地制宜配套政策。”


此外,第三代半導體產(chǎn)業(yè)近兩年市場高速增長主要得益于國家對半導體產(chǎn)業(yè)自主化的大力提倡所獲得的資本進入,以及碳化硅、氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數(shù)據(jù)中心等領域的新應用,但當前經(jīng)濟下行導致消費電子、汽車乃至工業(yè)電機等各類產(chǎn)品市場下滑,出口受阻,下游需求萎縮,“行業(yè)應苦練內(nèi)功,不斷提升產(chǎn)品性能和競爭力,深挖創(chuàng)新性應用,在拓展增量市場的同時不斷擴展在存量市場的滲透率,促進第三代半導體產(chǎn)業(yè)良性、可持續(xù)發(fā)展,同時還要面對‘為搶占先機超前投入,但市場的啟動往往低于預期’這一矛盾,把握好產(chǎn)業(yè)發(fā)展的節(jié)奏。”于坤山強調(diào)。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末)

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