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碳化硅晶片供應商天科合達闖關科創(chuàng)板

7月14日，上交所正式受理了北京天科合達半導體股份有限公司（簡稱“天科合達”）科創(chuàng)板上市申請。招股書顯示，天科合達是國內領先的第三代半導體材料——碳化硅晶片生產(chǎn)商。公司主要從事碳化硅領域相關產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括碳化硅晶片、其他碳化硅產(chǎn)品和碳化硅單晶生長爐，其中碳化硅晶片是公司核心產(chǎn)品。

天科合達表示，隨著碳化硅器件及其下游市場呈現(xiàn)爆發(fā)性增長，國內的碳化硅襯底材料供應已無法滿足下游市場的需求，公司在現(xiàn)有產(chǎn)能的基礎上，擬對主營業(yè)務碳化硅襯底材料進行擴產(chǎn)。本次闖關科創(chuàng)板，天科合達擬募集資金5億元投建碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設項目。

湖南長沙：160億建設碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈

7月20日，總投資達160億元的湖南三安半導體項目正式開工，未來有望在長沙形成新的半導體材料千億產(chǎn)業(yè)鏈。長沙市委書記胡衡華參加儀式并宣布項目開工。湖南三安半導體主要建設具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，項目總占地面積達1000畝。

項目建成達產(chǎn)后，將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，預計將帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值逾千億元。湖南三安半導體項目是長沙17個制造業(yè)標志性重點項目之一，也是長沙高新區(qū)今年鋪排的81個產(chǎn)業(yè)項目之一。今年2月以來，長沙高新區(qū)積極響應“大干一百天實現(xiàn)雙過半”競賽活動要求高效推進項目建設，已有12個項目實現(xiàn)提前開竣工。

SEMI預計2021年半導體設備市場達700億美元 創(chuàng)歷史新高

SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）近日預計，全球半導體設備市場2020年可同比增長6%，達到632億美元；預計2021年半導體設備市場達700億美元，創(chuàng)歷史新高。在中國大陸積極推動半導體投資等利好因素加成下，晶圓設備今年可同比增長5%，明年再度增長13%。此外，DRAM和NAND-Flash市場今年可望超過去年，明年增長20%以上。SEMI預計，中國大陸今年和明年將躍居全球最大半導體設備制造市場，中國臺灣盡管去年投資增長了68%，但今年可能下降，從而屈居第二位。

2020年山東省新材料產(chǎn)業(yè)民營企業(yè)10強榜單出爐，山東天岳入榜

7月20日，山東省工商業(yè)聯(lián)合會發(fā)布《關于對2020年山東省“十強產(chǎn)業(yè)”民營企業(yè)10強榜單公示的公告》。公告涉及新一代信息技術產(chǎn)業(yè)、高端裝備產(chǎn)業(yè)、新材料產(chǎn)業(yè)、海洋產(chǎn)業(yè)、醫(yī)養(yǎng)健康產(chǎn)業(yè)、高端化工產(chǎn)業(yè)、現(xiàn)代高效農(nóng)業(yè)產(chǎn)業(yè)、文化產(chǎn)業(yè)、精品旅游產(chǎn)業(yè)、現(xiàn)代金融服務業(yè)私募股權投資基金10個榜單。

在新材料產(chǎn)業(yè)榜單中，山東天岳先進材料科技有限公司入榜。山東天岳公司成立于2010年11月，是以碳化硅半導體襯底材料為主的高新技術企業(yè)。公司投資建成了第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)化基地，具備研發(fā)、生產(chǎn)國際先進水平的半導體襯底材料的軟硬件條件，是我國第三代半導體襯底材料行業(yè)的先進企業(yè)。公司擁有“碳化硅半導體材料研發(fā)技術國家地方聯(lián)合工程研究中心”、國家級博士后科研工作站等國家平臺和2個省級研發(fā)平臺，擁有專利290余項，其中發(fā)明專利80 余項，獲得山東省技術發(fā)明一等獎。公司先后承擔國家新材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)專項、國家863計劃項目、國家重大科技成果轉化專項等十余項國家和省部級科研和產(chǎn)業(yè)化項目。

擬建設半導體芯片生產(chǎn)線5條，濟南蘭星GPP芯片生產(chǎn)項目落戶重慶梁平

7月22日，濟南蘭星電子有限公司GPP芯片生產(chǎn)項目簽約儀式舉行，標志著該項目正式落戶重慶梁平。據(jù)悉，該項目擬占地50畝，建設半導體芯片生產(chǎn)線5條。項目建成后，可實現(xiàn)年產(chǎn)值5億元。

濟南蘭星電子有限公司成立于2011年，位于山東省濟南市章丘區(qū)，主要經(jīng)營電子元器件、半導體材料的生產(chǎn)、銷售，貨物進出口、技術進出口等。此外，該公司為梁平區(qū)平偉實業(yè)的上游配套企業(yè)，主要配套半導體芯片等相關產(chǎn)品。

年生產(chǎn)78萬片半導體芯片，英諾賽科氮化鎵項目預計明年Q2量產(chǎn)

近日，據(jù)江蘇衛(wèi)視報道，英諾賽科氮化鎵項目作為長三角一體化先行啟動區(qū)的重點項目，該項目正在快馬的加鞭推進當中，目前廠房施工已經(jīng)完成，明年二季度正式量產(chǎn)，年可生產(chǎn)半導體芯片78萬片。報道指出，目前，英諾賽科已經(jīng)和下游的幾家封裝企業(yè)建立合作關系，并與上海、江蘇、浙江上游端的IC設計公司等密切合作。接下來，將借助長三角的半導體產(chǎn)業(yè)基礎，與區(qū)域內更多企業(yè)開放合作，形成跨區(qū)域的產(chǎn)業(yè)鏈集群。

資料顯示，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司是一家專業(yè)從事新型第三代半導體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。據(jù)悉，英諾賽科氮化鎵項目主要建設從器件設計、驅動IC設計開發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。

富通鑫茂擬定增募資不超6.8億元 用于半導體制程用石英制品智能制造項目等

近日，富通鑫茂（000836.SZ）披露2020年度非公開發(fā)行A股股票預案，擬非公開發(fā)行股票的數(shù)量不超過2.4億股（含本數(shù)），不超過此次發(fā)行前公司總股本的30%；具體發(fā)行數(shù)量將按照募集資金總額除以發(fā)行價格確定，發(fā)行數(shù)量不為整數(shù)的應向下調整為整數(shù)。發(fā)行對象為包括控股股東富通科技在內的不超過35名符合中國證監(jiān)會規(guī)定的特定對象，其中富通科技擬認購數(shù)量不低于此次發(fā)行股票數(shù)量的15%。募集資金總額不超過6.8億元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費用后，2.5億元用于半導體制程用石英制品智能制造項目，2.75億元用于超純合成石英材料建設項目，1.55億元用于償還銀行借款。

資料來源：中國證券報、格隆匯、C114通訊網(wǎng)、中國日報網(wǎng)、魯網(wǎng)、愛集微、集邦半導體觀察

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）

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