作為我國(guó)著名微電子學(xué)與固體電子學(xué)家，郝躍院士開拓和引領(lǐng)了我國(guó)第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體材料與器件的發(fā)展，創(chuàng)建了我國(guó)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延生長(zhǎng)、器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的理論與技術(shù)體系，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)第三代半導(dǎo)體從核心設(shè)備、材料到器件的重大創(chuàng)新，為我國(guó)在氮化物第三代半導(dǎo)體電子器件步入國(guó)際領(lǐng)先行列做出了重要貢獻(xiàn)。

寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件發(fā)展歷程

上世紀(jì)九十年代，信息科技蓬勃興起，作為信息時(shí)代技術(shù)基礎(chǔ)的集成電路-微電子技術(shù)成為大熱門。郝躍敏銳地感覺到傳統(tǒng)的微電子技術(shù)研究已經(jīng)遇到了問題，尋找新的方向，是學(xué)術(shù)帶頭人郝躍直覺到的內(nèi)在要求。他把目光轉(zhuǎn)向化合物半導(dǎo)體，并最終聚焦到國(guó)際上剛起步的寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵、碳化硅。他看到，寬禁帶半導(dǎo)體材料研究可以把電子學(xué)與光學(xué)緊密結(jié)合，必然具備單純的電子學(xué)或光學(xué)不具備的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也有很高的學(xué)術(shù)和應(yīng)用價(jià)值，容易形成先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

于是，他的研究開始聚焦到國(guó)際上剛起步的寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵、碳化硅，并將突破高質(zhì)量的寬禁帶半導(dǎo)體材料，通過一系列微電子工藝技術(shù)做成寬禁帶半導(dǎo)體器件和集成電路，再把其推廣應(yīng)用到生產(chǎn)生活各個(gè)領(lǐng)域，作為自己及其團(tuán)隊(duì)的責(zé)任和使命。

新型氮化物半導(dǎo)體國(guó)際上稱為第三代材料，又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。氮化物半導(dǎo)體器件在通信、電力系統(tǒng)、照明、生物、醫(yī)療，以及軍事領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用前景。

對(duì)此，郝躍和團(tuán)隊(duì)的研究取得了一系列創(chuàng)新成果，2004年，西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室掛牌；2005年前后，國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始發(fā)展之時(shí)，西安電子科技大學(xué)的寬禁帶半導(dǎo)體研究已經(jīng)有了深厚的積累，出版了國(guó)內(nèi)最早探討寬禁帶半導(dǎo)體的專著《碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)》；2007年，寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室獲批；2019年，國(guó)家工程研究中心建設(shè)獲批。

如今，以郝躍為學(xué)術(shù)帶頭人的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室，已成為國(guó)內(nèi)外寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件科學(xué)研究、人才培養(yǎng)、學(xué)術(shù)交流、成果轉(zhuǎn)化方面的重要基地，引領(lǐng)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體研究自主發(fā)展，服務(wù)產(chǎn)業(yè)工程應(yīng)用。

郝躍科研課題組介紹

郝躍院士團(tuán)隊(duì)是國(guó)家首批國(guó)防科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)、西安電子科技大學(xué)優(yōu)秀創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，國(guó)內(nèi)最早開展寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究的團(tuán)隊(duì)，在國(guó)內(nèi)外有顯著的學(xué)術(shù)影響力。

主要研究方向包括：寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、微納米半導(dǎo)體器件與器件物理、SoC設(shè)計(jì)與設(shè)計(jì)方法學(xué)、半導(dǎo)體器件可靠性與失效物理等。

研究團(tuán)隊(duì)擁有1200平米超凈實(shí)驗(yàn)室，擁有從設(shè)備制造、材料生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、工藝流片、可靠性測(cè)試分析的全套實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，設(shè)備價(jià)值1.2億元，在國(guó)內(nèi)高校首屈一指。研究團(tuán)隊(duì)得到了國(guó)家科技重大專項(xiàng)、863計(jì)劃、973計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金等多項(xiàng)重大項(xiàng)目的支持，經(jīng)費(fèi)充足，年均科研經(jīng)費(fèi)5000-9000萬(wàn)元。

團(tuán)隊(duì)帶頭人：郝躍院士

郝躍，男，漢族，1958年3月生于重慶市，籍貫安徽阜陽(yáng)，2014年加入九三學(xué)社。中國(guó)科學(xué)院院士，微電子學(xué)家。

IEEE高級(jí)會(huì)員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)常務(wù)理事，陜西電子學(xué)會(huì)、集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)和陜西半導(dǎo)體照明協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)。國(guó)家重大專項(xiàng)實(shí)施專家組組長(zhǎng)，總裝微電子專家組組長(zhǎng)，國(guó)家電子信息科學(xué)與工程專業(yè)指導(dǎo)委員會(huì)副主任委員�，F(xiàn)任九三學(xué)社中央常委、陜西省委會(huì)主委，中國(guó)僑聯(lián)常委、陜西省僑聯(lián)主席，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師，全國(guó)政協(xié)委員。

長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，是國(guó)家重大基礎(chǔ)研究(973)計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國(guó)家有突出貢獻(xiàn)的中青年專家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體照明短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。

參考來源

西安電子科技大學(xué)官網(wǎng)、陜西科技傳媒、陜西科技報(bào)社、百度百科