中國粉體網(wǎng)訊 8月17日，天科合達第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目開工儀式在北京大興舉行。
據(jù)悉，第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目是天科合達自籌資金建設(shè)的用于碳化硅晶體襯底研發(fā)及生產(chǎn)的項目，總投資約9.5億元人民幣，總建筑面積5.5萬平方米，新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設(shè)備的碳化硅襯底生產(chǎn)線，項目計劃于2022年年初完工投產(chǎn)，建成后可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬片。
北京天科合達半導體股份有限公司總經(jīng)理楊建表示，天科合達將致力于打造全球第三代半導體碳化硅襯底材料龍頭企業(yè)，為我國第三代半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力支撐。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
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