中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近年來(lái),半導(dǎo)體器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。大功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車、LED照明等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。由于任何半導(dǎo)體器件在工作時(shí)都有一定的損耗,且大部分損耗都已熱量形式揮散,并引起一定的器件失效事件。據(jù)統(tǒng)計(jì),由熱引起的器件失效高達(dá)55%。
研究發(fā)現(xiàn),陶瓷材料具有更優(yōu)異的導(dǎo)熱性及力學(xué)性能,并具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等優(yōu)點(diǎn),是高端半導(dǎo)體器件,特別是大功率半導(dǎo)體器件基片的最佳材料。研究發(fā)現(xiàn),基片材料應(yīng)具有以下性能:①良好的絕緣性和抗電擊穿能力;②高的熱導(dǎo)率:導(dǎo)熱性直接影響半導(dǎo)體器件的運(yùn)行狀況和使用壽命,散熱性差導(dǎo)致的溫度場(chǎng)分布不均勻也會(huì)使電子器件噪聲大大增加;③熱膨脹系數(shù)與封裝內(nèi)其他所用材料匹配;④良好的高頻特性:即低的介電常數(shù)和低的介質(zhì)損耗;⑤表面光滑,厚度一致:便于在基片表面印刷電路,并確保印刷電路的厚度均勻。
半導(dǎo)體器件用陶瓷基片材料之氮化硅
目前常用的基片材料主要包括:陶瓷基片、玻璃陶瓷基片、金剛石、樹脂基片、硅(Si)基片以及金屬或金屬基復(fù)合材料等。
目前已經(jīng)投入生產(chǎn)的應(yīng)用的陶瓷基片材料主要包括氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)和氮化鋁(AlN)等。隨著半導(dǎo)體器件向大功率化、高頻化的不斷發(fā)展,對(duì)陶瓷絕緣基片的導(dǎo)熱性和力學(xué)性能都提出了更高的要求。目前,氮化硅是國(guó)內(nèi)外公認(rèn)兼具高導(dǎo)熱高可靠性的最具應(yīng)用前景的陶瓷基板材料。單晶氮化硅的理論熱導(dǎo)率可達(dá)400W•m-1•K-1以上,具有成為高導(dǎo)熱基片的潛力。
Si3N4具有3種結(jié)晶結(jié)構(gòu),分別是α相、β相和γ相。其中α相和β相是Si3N4最常見的形態(tài),均為六方結(jié)構(gòu),可在常壓下制備。Si3N4陶瓷具有硬度大、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高溫蠕變小、抗氧化性能好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小、與用油潤(rùn)滑的金屬表面相似等諸多優(yōu)異性能,是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。
三種陶瓷基板材料物理力學(xué)性能對(duì)比
高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷材料的影響因素
★原料粉體的影響
原料粉體是影響陶瓷物理、力學(xué)性能的關(guān)鍵因素,特別是對(duì)于高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷,原料粉體的純度、粒度物相會(huì)對(duì)氮化硅的熱導(dǎo)率、力學(xué)性能產(chǎn)生重要影響。
★燒結(jié)助劑的影響
氮化硅屬于強(qiáng)共價(jià)建化合物,依靠固相擴(kuò)散很難燒結(jié)致密,必需添加燒結(jié)助劑,如MgO、Al2O3、CaO和稀土氧化物等,在燒結(jié)過(guò)程,添加的燒結(jié)助劑中可以與氮化硅粉體表面的原生氧化物發(fā)生反應(yīng),形成低熔點(diǎn)的共晶溶液,利用液相燒結(jié)機(jī)理實(shí)現(xiàn)致密化。需要注意的是并不是所有的燒結(jié)助劑的加入都能起到很好的燒結(jié)效果。對(duì)癥下藥才是王道,選擇合適的燒結(jié)助劑,制定合理的配方體系是提升氮化硅熱導(dǎo)率的關(guān)鍵。燒結(jié)助劑按氧化物類大致分為氧化物類燒結(jié)助劑和非氧化物燒結(jié)助劑。其下又分為稀土氧化物燒結(jié)助劑(Y2O3、CeO和La2O3、Yb2O3)和CaO、MgO燒結(jié)助劑。
2020年10月29-30日,中國(guó)粉體網(wǎng)將在無(wú)錫舉辦“2020第三屆新型陶瓷技術(shù)與產(chǎn)業(yè)高峰論壇”。屆時(shí),來(lái)自北京中材人工晶體研究院有限公司的鄭彧高工帶來(lái)題為《高導(dǎo)熱氮化硅基板關(guān)鍵技術(shù)及研發(fā)進(jìn)展》的報(bào)告,屆時(shí),鄭彧高工將從材料性能、原料、成型、燒結(jié)等角度全面系統(tǒng)闡述高導(dǎo)熱氮化硅基板制備關(guān)鍵技術(shù),并對(duì)其未來(lái)前景進(jìn)行展望。
專家介紹
鄭彧,北京中材人工晶體研究院有限公司,高級(jí)工程師。畢業(yè)于北京航空航天大學(xué),獲材料學(xué)博士學(xué)位。長(zhǎng)期從事高性能氮化硅陶瓷材料、陶瓷基復(fù)合材料等方向的研究工作。主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)專項(xiàng)、北京市科技計(jì)劃、國(guó)家國(guó)際科技合作專項(xiàng)等多項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目,并參與多項(xiàng)國(guó)家科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目等重大科研項(xiàng)目。以第一作者或通訊作者身份發(fā)表論文近30篇,其中SCI收錄論文10余篇,申報(bào)發(fā)明專利近10項(xiàng)。
參考資料:
張偉儒等.氮化硅:未來(lái)陶瓷基片材料的發(fā)展趨勢(shì)
鄭彧等.高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板材料研究現(xiàn)狀
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