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發(fā)力車用碳化硅賽道 派恩杰半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元天使輪融資


來源:集微網(wǎng)

[導(dǎo)讀]  第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司(下稱“派恩杰半導(dǎo)體”)近日完成了數(shù)千萬元天使輪融資。本輪融資由深圳創(chuàng)東方投資(下稱“創(chuàng)東方”)投資。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司(下稱“派恩杰半導(dǎo)體”)近日完成了數(shù)千萬元天使輪融資。本輪融資由深圳創(chuàng)東方投資(下稱“創(chuàng)東方”)投資。派恩杰半導(dǎo)體持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)研發(fā),并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)系列產(chǎn)品量產(chǎn)。


公司創(chuàng)始人黃興博士指出,本輪資金將用于碳化硅功率器件研發(fā)、人才團(tuán)隊(duì)建設(shè)、市場(chǎng)推廣和產(chǎn)品備貨!氨据喨谫Y無疑是給我們資金上的有力支持,能夠加快我們產(chǎn)品的步伐,同時(shí)也幫助我們擴(kuò)充人力、快速布局市場(chǎng)!秉S興說。


以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體被視作下一個(gè)重要的產(chǎn)業(yè)賽道。相比第一、第二代半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有寬禁帶、高耐壓、低阻抗等諸多優(yōu)勢(shì),特別適用于高功率和高頻高壓場(chǎng)景,其中設(shè)計(jì)和制造工藝相對(duì)更成熟的碳化硅,目前已在新能源汽車、充電樁、光伏、風(fēng)電、工控等眾多領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。


長(zhǎng)期專注硬科技領(lǐng)域創(chuàng)投的創(chuàng)東方投資看好該領(lǐng)域的未來發(fā)展前景。創(chuàng)東方稱,預(yù)期到2024年,第三代半導(dǎo)體的滲透率將從當(dāng)前的約1%快速提升至5%以上。而派恩杰半導(dǎo)體正是創(chuàng)東方投資團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體這一關(guān)鍵賽道中精選的具備技術(shù)領(lǐng)先性、產(chǎn)品落地性、市場(chǎng)廣闊性和增長(zhǎng)確定性的領(lǐng)跑者。


“半導(dǎo)體行業(yè)是不怕‘論持久戰(zhàn)’的。事實(shí)上是,真正擁有從技術(shù)到產(chǎn)品到市場(chǎng)整合優(yōu)勢(shì)等各方面綜合能力的團(tuán)隊(duì)并不多,而各類資源方,不論是產(chǎn)業(yè)資本以及投資機(jī)構(gòu)等,在市場(chǎng)上反而是充裕的。”創(chuàng)東方投資合伙人謝玉娟對(duì)集微網(wǎng)指出,從投資方的角度,更注重的在于選擇靠譜的團(tuán)隊(duì)和項(xiàng)目,并且希望陪著團(tuán)隊(duì)慢慢成長(zhǎng)。


投資團(tuán)隊(duì)認(rèn)為,派恩杰半導(dǎo)體是目前國(guó)內(nèi)唯一自研并向市場(chǎng)廣泛推廣碳化硅SBD+MOS系列產(chǎn)品線的供應(yīng)商,主打的碳化硅MOS產(chǎn)品平均比國(guó)內(nèi)同行領(lǐng)先兩代以上(3-5年),關(guān)鍵性能參數(shù)達(dá)到全球一流水準(zhǔn)。同時(shí),公司的銷售團(tuán)隊(duì)為來自Cree和Rohm的高級(jí)別資深銷售,使得公司可以更廣泛和精準(zhǔn)地觸達(dá)客戶需求。


黃興表示,新能源汽車市場(chǎng)的應(yīng)用將是未來碳化硅的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力,目前也已經(jīng)有車企在和他們談合作,接下去公司將進(jìn)一步專注車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)量產(chǎn)。而從產(chǎn)業(yè)及技術(shù)鏈條層面來看,接下去的兩年也有望進(jìn)入從IGBT向碳化硅的轉(zhuǎn)換期,“大家漸漸地發(fā)現(xiàn),碳化硅對(duì)于整個(gè)車的效率,甚至是靜音方面是有很大的作用的。比如使用IGBT,它電極的噪音還是比較明顯的,而碳化硅就幾乎聽不到噪音!秉S興解釋,他預(yù)期,今年國(guó)內(nèi)就會(huì)有碳化硅的樣車出現(xiàn),從明年開始會(huì)有一個(gè)逐步地從IGBT轉(zhuǎn)向碳化硅的過程。


公開資料顯示,派恩杰半導(dǎo)體成立于2018年9月,致力于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)研發(fā)與產(chǎn)品銷售,以實(shí)現(xiàn)國(guó)有品牌替代。公司創(chuàng)始核心團(tuán)隊(duì)均來自行業(yè)知名公司,具備10年以上半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、管理和銷售經(jīng)驗(yàn)。值得一提的是,公司成立6個(gè)月時(shí)即完成第一款可兼容驅(qū)動(dòng)650V氮化鎵HEMT產(chǎn)品;同年發(fā)布Gen3技術(shù)的1200V碳化硅MOS產(chǎn)品,HDFM技術(shù)指標(biāo)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先;2020年公司推出低VF高浪涌650V碳化硅SBD產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)技術(shù)再次迭代。目前公司的產(chǎn)品有碳化硅SBD、碳化硅MOS、氮化鎵HEMT等三大系列,涵蓋650V-3300V的電壓平臺(tái)、50余款不同型號(hào)的碳化硅和氮化鎵功率器件,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)、逆變器等場(chǎng)景和領(lǐng)域。


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川)


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