日前,美國(guó)IBM公司和日本索尼公司、東芝公司宣布,將聯(lián)手開(kāi)發(fā)32納米的下一代大規(guī)模集成電路,并計(jì)劃在2013年投放市場(chǎng),與韓國(guó)三星電子和美國(guó)英特爾公司展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。
據(jù)報(bào)道,日美這3家公司計(jì)劃在今后5年內(nèi)將公司有關(guān)研究開(kāi)發(fā)人員集中到IBM公司在紐約的研究基地和工廠,研究開(kāi)發(fā)32納米大規(guī)模集成電路所必需的基礎(chǔ)技術(shù)。目前,日本主流集成電路半導(dǎo)體線路為90納米,最尖端的為65納米。國(guó)際上許多大型半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家正在研究開(kāi)發(fā)45納米的半導(dǎo)體。為了在競(jìng)爭(zhēng)中保持優(yōu)勢(shì),日美上述3家公司決定著手研究開(kāi)發(fā)32納米半導(dǎo)體技術(shù)。
東芝在加工技術(shù)和制造能力,索尼在多樣化的半導(dǎo)體技術(shù)和對(duì)消費(fèi)者市場(chǎng)的深入了解,IBM在材料技術(shù)方面分別居于世界領(lǐng)先位置。過(guò)去5年,3家公司聯(lián)合在90納米和65納米級(jí)別的芯片研究上取得重大進(jìn)展。
集成電路和存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的線路越細(xì)微,就越能使電器產(chǎn)品更加趨向小型化,并能提高產(chǎn)品性能。
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