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高比表面積碳化硅在光催化分解水制氫領(lǐng)域大有可為


來源:中國粉體網(wǎng)

[導讀]  高比表面積碳化硅在光催化分解水制氫領(lǐng)域大有可為


氫因具有放熱效率高、清潔及可再生等特點,被視為21世紀最理想的清潔能源。通常氫氣主要由化石原料,如煤、石油、天然氣等制備,但在這制備過程中不僅會消耗大量的能量,而且會產(chǎn)生大量的二氧化碳的排放,與可持續(xù)發(fā)展理念相悖。而利用太陽能在光催化劑的條件下分解水制氫則是一種可持續(xù)的、能夠緩解能源緊缺現(xiàn)狀的一種理想方案,太陽能取之不盡、用之不竭,而且制備過程中也不會產(chǎn)生二氧化碳的排放。



 氫能源體系光催化分解水產(chǎn)氫示意圖


來源:分子催化


光催化分解水的關(guān)鍵在于催化劑材料的選擇。作為光催化劑的半導體材料,應具備能在可見光照射時發(fā)生電子從價帶到導帶躍遷的特性。半導體寬帶越大,電子躍遷所需要的光波長越短。目前常見的半導體光催化劑是TiO2,其禁帶寬度為3.2eV,只有波長小于390nm的光才能引起電子的躍遷,而可見光的波長在400~800nm的區(qū)間里,因此TiO2無法利用可見光進行催化分解水。從太陽光的利用效率看,半導體的帶隙應盡可能的小,通常要小于3.0eV。同時考慮到氫質(zhì)子還原形成氫氣所需要的電勢為0V(標準氫電極,NHE),而水分子氧化形成氧氣所需要的電勢為+1.23V,以及電極過電位和半導體能帶彎曲所帶來的影響,半導體催化劑的最小禁帶寬度約為1.8eV。


 半導體光催化劑的全分解水原理

來源:分子催化

良好的光解水催化劑應具備以下條件:

合適的禁帶寬度,一般在1.8~3.0eV之間

帶邊勢要符合水分解的要求

良好的穩(wěn)定性,在分解水的過程中不會發(fā)生光化學腐蝕


SiC具有化學性質(zhì)穩(wěn)定、價廉、無毒、無污染等特性,禁帶寬度在2.4eV~3.3eV之間,且邊勢符合水分解的要求,是一種極具應用潛力的光分解水制氫催化劑材料,目前SiC光解水制氫的研究仍處于起步階段,值得非常深入的研究。


為了解更多關(guān)于高比表面積碳化硅制備技術(shù)與應用方面的最新研究進展,“第六屆國際碳材料大會暨產(chǎn)業(yè)展覽會——碳化硅陶瓷論壇”特邀常州大學 郭向云教授與大家分享《高比表面積碳化硅: 新型綠色催化材料》。


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