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清華大學(xué)國家863科技成果成功轉(zhuǎn)化,年產(chǎn)氮化鋁和氮化硅陶瓷基板1020萬片


來源:中國粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  高性能氮化鋁陶瓷材料項目源于清華大學(xué)國家863科技成果,建成后年產(chǎn)氮化鋁基板720萬片,氮化硅基板300萬片。

中國粉體網(wǎng)訊  1月30日,東臺高新區(qū)與無錫海古德新技術(shù)有限公司就“高性能氮化鋁陶瓷材料項目”在江蘇富樂華功率半導(dǎo)體研究院正式簽約!


 


該項目投資6億元,建成后年產(chǎn)氮化鋁基板720萬片,氮化硅基板300萬片。氮化鋁與氮化硅是當(dāng)今最炙手可熱的陶瓷基板材料。隨著功率器件特別是第三代半導(dǎo)體的崛起與應(yīng)用,半導(dǎo)體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發(fā)展,對封裝基板性能也提出了更高要求。


與其他陶瓷材料相比,氮化硅陶瓷材料具有明顯優(yōu)勢,尤其是在高溫條件下氮化硅陶瓷材料表現(xiàn)出的耐高溫性能、對金屬的化學(xué)惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學(xué)性能。氮化硅陶瓷的抗彎強度、斷裂韌性都可達到AlN的2倍以上,特別是在材料可靠性上氮化硅陶瓷基板具有其他材料無法比擬的優(yōu)勢。氮化硅也被認為是綜合性能最好的陶瓷材料。


氮化鋁是兼具良好的導(dǎo)熱性和良好的電絕緣性能少數(shù)材料之一,高熱導(dǎo)率是氮化鋁的突出特點,室溫時其理論導(dǎo)熱率最高可達320W/(m•K),是氧化鋁陶瓷的8~10倍,實際生產(chǎn)的熱導(dǎo)率也可高達200W/(m•K),有利于LED中熱量散發(fā),提高LED性能,在電子封裝對熱導(dǎo)率的要求方面,氮化鋁優(yōu)勢巨大。


據(jù)了解,該項目源于清華大學(xué)國家863科技成果,并由無錫海古德新技術(shù)有限公司投資建設(shè)。無錫海古德新技術(shù)有限公司是一家擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、高科技專利技術(shù),集新型陶瓷材料及其電子元件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的現(xiàn)代化高新技術(shù)企業(yè)。核心產(chǎn)品高性能氮化鋁(AlN)陶瓷材料、氮化硅(Si3N4)陶瓷基板及其元器件。


參考來源:東臺高新區(qū)公眾號、中國粉體網(wǎng)


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知刪除


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作者:山川

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