中國粉體網訊  據《石家莊日報》近日報道，河北普興電子科技股份有限公司（以下簡稱“普興電子”）普興電子搬遷項目計劃于2022年9月竣工投產。

據了解，該項目是今年的河北省重點項目，一期占地130畝，總建筑面積7萬平方米，總投資5億元，主要建設有生產車間、辦公研發(fā)樓、動力站等，計劃于2022年9月竣工投產。項目投產后，普興電子將達到年產300萬片8英寸硅外延片、36萬片6英寸碳化硅外延產品的生產能力。全部投產以后，預計全年的產值將達到31億、利潤4億左右，可以提供500多個就業(yè)崗位。

普興電子已經成功研制出的第三代寬帶隙半導體材料碳化硅和氮化鎵產品，突破了硅基器件的物理極限，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高、損耗低等特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、耐輻射等電子器件領域廣泛應用，而這些場景恰恰對器件的散熱性能以及可靠性提出了嚴峻考驗。SiC 襯底具有高熱導率、高化學穩(wěn)定性、耐高溫等優(yōu)異性能，基于其制備的第三代半導體器件擁有更高的散熱性能，能夠提升器件的性能與可靠性，也有利于減小系統(tǒng)散熱模塊體積。而在 SiC 襯底上制備高質量外延材料是提高器件性能及可靠性，推動第三代半導體在生產生活中的應用的關鍵。

碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實際應用中，寬禁帶半導體器件幾乎都做在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底，包括GaN外延層的襯底。

據了解，普興電子是國內最早從事硅外延材料技術研究的企業(yè)，主要產品為4-8英寸硅外延片和4-6英寸碳化硅外延片，已經形成了系列化大批量的生產規(guī)模。

該公司擁有36項專利，先后榮獲中國電子材料行業(yè)半導體材料專業(yè)十強企業(yè)、全國電子信息行業(yè)百強優(yōu)秀企業(yè)、河北省著名商標企業(yè)等29項國家及省級獎項，近期還獲得了石家莊市2021年主導產業(yè)專項資金獎勵。

參考來源：石家莊日報、普興電子官網

（中國粉體網編輯整理/山川）

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