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方達(dá)正塬邀您出席第一屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會


來源:中國粉體網(wǎng) 粉享匯

[導(dǎo)讀]  第一屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會,2022年7月13日,濟(jì)南。

中國粉體網(wǎng)訊  隨著新能源汽車、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)的蓬勃發(fā)展,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,先進(jìn)陶瓷在半導(dǎo)體行業(yè)將迎來更大的應(yīng)用市場。第一屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會將于2022年7月13日濟(jì)南舉辦。江蘇方達(dá)正塬電子材料科技有限公司邀請您共同出席論壇。




江蘇方達(dá)正塬電子材料科技有限公司(Foundarzy,簡稱方達(dá)正塬)是一家由南京市紫金山英才高峰計(jì)劃入選者創(chuàng)建的高技術(shù)企業(yè)。公司成立于2020年,主要從事氮化硅絕緣材料、覆銅基板等相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用研究。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于超高壓電網(wǎng)、5G/6G、穿戴式裝備、電動汽車、高鐵、飛機(jī)、雷達(dá)、航空航天、碳中和等相關(guān)設(shè)備、先進(jìn)制造及大國重器之中。

公司自2021年3月投資50萬元立項(xiàng)研究,氮化硅陶瓷基板制備關(guān)鍵技術(shù)和裝備;組建了由院士牽頭的戰(zhàn)略專家委員會,成員由中國科學(xué)院、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、南京大學(xué)、東南大學(xué)的教授/研究員組成;技術(shù)團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了具有國際領(lǐng)先水平的氮化硅陶瓷的制造工藝流程、研發(fā)了系列關(guān)鍵裝備、各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的質(zhì)量監(jiān)控與中間產(chǎn)品篩選體系,在氮化硅基板制備等方面取得重要進(jìn)展,已獲得授權(quán)發(fā)明/實(shí)用新型專利10項(xiàng),發(fā)表國際學(xué)術(shù)論文3篇。在審發(fā)明專利8項(xiàng),實(shí)用新型專利7項(xiàng)。涉及到粉體攪拌、篩分、輸送、收集、平整、加溫、保溫和冷卻、粉體預(yù)處理、漿料制備、流延機(jī)、流延素坯、基板燒結(jié)、陶瓷基板、配方、燒結(jié)設(shè)備部件、在線監(jiān)測、陶瓷織構(gòu)化等,至今已提交發(fā)明專利6項(xiàng),實(shí)用新型專利6項(xiàng),正在實(shí)質(zhì)性審查。


 產(chǎn)品展示


1.氮化硅(Si3N4)陶瓷基板



公司掌握了國內(nèi)外企業(yè)、高等院校和研究院所的先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)和研究成果,設(shè)計(jì)了國內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線,產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測和軍方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測,驗(yàn)證結(jié)果與國外產(chǎn)品相當(dāng),局部優(yōu)于國外產(chǎn)品。

氮化硅(Si3N4)基板與BeO、Al2O3和AlN基板相比較,具有綜合性能最佳、使用壽命最長(是AlN的15~20倍)、可靠性最好的特點(diǎn),詳細(xì)如下:

絕緣性好:電阻率=1.0×1015~1016,電阻率約是BeO和AlN的10倍,Al2O3的10萬倍

導(dǎo)熱性強(qiáng):熱導(dǎo)率=80-177(理論值達(dá)320),熱導(dǎo)率是Al2O3的3倍以上,與AlN相當(dāng),略遜于BeO

反應(yīng)靈敏:介電常數(shù)=9.4,與Al2O3和AlN相當(dāng)

熱穩(wěn)定:熱膨脹系數(shù)=3,遠(yuǎn)低于BeO,比AlN低,約為Al2O3的1/3

壽命長:耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次,是AlN和Al2O3的15~20倍,大大降低設(shè)備折舊成本

抗振動:高模量、機(jī)械強(qiáng)度大。

BeO屬于劇毒產(chǎn)品,僅用于要求特殊的航天和導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部

Al2O3和是目前價(jià)格最便宜的基板,但是其導(dǎo)熱性和使用壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的要求。

AlN的主要問題是價(jià)格高(與Si3N4相當(dāng))但可靠性只有Si3N4的十分之一。

Si3N4基板具有向下兼容的特點(diǎn),無需驗(yàn)證即可直接替代上述三種基板,不必再次驗(yàn)證。

隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價(jià)格的下降,將逐步代替原來由Al2O3和AlN占據(jù)的市場份額,

(二)新穎性、先進(jìn)性和獨(dú)特性

產(chǎn)品屬于國家“核高基”領(lǐng)域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品,在細(xì)分行業(yè)處于領(lǐng)軍地位,市場緊缺,替代進(jìn)口。

設(shè)計(jì)了國內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線,嚴(yán)格的預(yù)處理技術(shù)和先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴(yán)格要求,晶格缺陷大大減少了,性能指標(biāo)大大提升。

形成了既滿足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求、還可提供高性能指標(biāo)的基板和/或基片,形成高低搭配的、全方位的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系。

 







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