中國粉體網(wǎng)訊  近日，露笑科技發(fā)布投資者關系活動記錄表公告，在碳化硅產(chǎn)業(yè)化規(guī)模方面，目前公司已經(jīng)到位280臺長晶爐，有部分已經(jīng)完成了前期的工藝安裝調(diào)試，預計7月份大概能出產(chǎn)500-1000片，8月出產(chǎn)1000-2000片。據(jù)介紹，公司的實施計劃本可以再快一些，但受限于一些輔料耗材進口方面的影響。預計到2022年底，公司能實現(xiàn)月產(chǎn)能5000片的生產(chǎn)規(guī)模。目前公司募集資金已到位，公司將加速后期碳化硅產(chǎn)能鋪設進程，隨著后端相應的切磨拋進口設備到位，預計到明年4月份左右能實現(xiàn)月產(chǎn)能1萬片，在2023年實現(xiàn)年產(chǎn)20萬片的產(chǎn)能規(guī)劃。

寬禁帶半導體材料屬于我國產(chǎn)業(yè)政策鼓勵發(fā)展的關鍵戰(zhàn)略材料，碳化硅襯底材料屬于國家產(chǎn)業(yè)規(guī)劃重點應用領域亟需的新材料。根據(jù)國家發(fā)改委發(fā)布的《戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務指導目錄（2016年版）》，碳化硅等電子功能材料列入戰(zhàn)略型新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品目錄。根據(jù)2016年12月工信部、國家發(fā)改委、科技部與財政部聯(lián)合發(fā)布的《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，寬禁帶半導體材料屬于鼓勵發(fā)展的“關鍵戰(zhàn)略材料”，大尺寸碳化硅單晶屬于“突破重點應用領域急需的新材料”。此外，繼“十二五”、“十三五”后，碳化硅半導體于2021年3月再次被列入“十四五”規(guī)劃中的重點支持領域。據(jù)了解，全球碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美國一家獨大的局面，美國在碳化硅領域布局較早，因此占據(jù)全球碳化硅襯底約60%的市場份額。其中wolfspeed和Ⅱ-Ⅵ公司的市占率分別為45%和13%，wolfspeed的導電型襯底約占62%，半絕緣型為33%，而中國本土企業(yè)起步較晚，碳化硅襯底總體市占率在10%左右。  

公司碳化硅業(yè)務主要通過控股子公司合肥露笑半導體材料有限公司實施。合肥露笑半導體自2021年6月份起，生長和加工設備陸續(xù)入場調(diào)試。據(jù)露笑科技2021年年報顯示，截至2021年12月，完成襯底片加工車間建設并投入使用，現(xiàn)已實現(xiàn)了6英寸襯底片的銷售，正處于產(chǎn)能爬坡上升期。

據(jù)了解，在產(chǎn)業(yè)認證方面，公司從去年10月份就已經(jīng)開始做器件端驗證了，目前在SBD這一方面已經(jīng)過了三輪驗證，目前反饋的情況都很不錯，公司的碳化硅襯底片在SBD這塊應用已經(jīng)比較成熟了。MOS這塊公司尚處于驗證過程中。 

同時，在碳化硅MOS取代IGBT這個話題上，公司表示如果不考慮快速響應，IGBT比MOSFET具有成本優(yōu)勢，但是有反向恢復損耗。因此，對頻率要求不高的場合，IGBT可以存在。但是一旦MOSFET成本下降之后，就有可能取代IGBT。

參考來源：露笑科技投資者關系活動記錄表、露笑科技2021年年報

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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