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“2022年第三代半導(dǎo)體最具競爭力十大產(chǎn)業(yè)園區(qū)”出爐


來源:中國粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  “2022年第三代半導(dǎo)體最具競爭力十大產(chǎn)業(yè)園區(qū)”出爐

中國粉體網(wǎng)訊  近日,第十六屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會暨蘇州第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇在蘇州工業(yè)園區(qū)盛大開幕。


大會由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件分會、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、專用集成電路重點實驗室、元器件封裝技術(shù)創(chuàng)新中心、河北省新型半導(dǎo)體材料重點實驗室、河北普興電子科技股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所共同承辦。經(jīng)前期調(diào)研論證,蘇州工業(yè)園、無錫(國家)集成電路設(shè)計中心等十家產(chǎn)業(yè)園區(qū)入圍了“2022年第三代半導(dǎo)體最具競爭力產(chǎn)業(yè)園區(qū)”。


 


第三代半導(dǎo)體材料是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等帶隙寬度明顯大于硅(Si,1.1~1.3 V)和砷化鎵(GaAs,1.4 V)的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能,以寬禁帶半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)制備的電子器件是支撐下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)、國防軍工等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵核心器件。


第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和新的產(chǎn)業(yè)競爭焦點,也是國外對中國技術(shù)封鎖的重點領(lǐng)域。當(dāng)前國際第三代半導(dǎo)體材料、器件實現(xiàn)了從研發(fā)到規(guī)模性量產(chǎn)的成功跨越,已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段,在新能源汽車、高速列車、5G通信、光伏并網(wǎng)、消費類電子等多個重點應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了突破,未來 5 年將是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵期,全球資本加速進(jìn)入第三代半導(dǎo)體材料、器件領(lǐng)域,產(chǎn)能大幅度提升,企業(yè)并購頻發(fā),正處于產(chǎn)業(yè)爆發(fā)前的“搶跑”階段。中國在市場和應(yīng)用領(lǐng)域有戰(zhàn)略優(yōu)勢,正在形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈條,國際巨頭還未形成專利、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)模的完全壟斷,有機會實現(xiàn)核心技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略引領(lǐng),重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。


參考來源:

[1] 入圍!無錫(國家)集成電路設(shè)計中心再獲殊榮.蠡園之聲

[2] 吳玲等.第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與趨勢展望


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作者:山川

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