中國(guó)粉體網(wǎng)訊 8月16日，楚江新材(002171.SZ)在互動(dòng)平臺(tái)表示，子公司頂立科技的碳材料產(chǎn)品可用于第三代半導(dǎo)體碳化硅及金剛石的生長(zhǎng)。公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域主要圍繞“四高兩涂”的技術(shù)和產(chǎn)品進(jìn)行研發(fā)和生產(chǎn)，可為碳化硅單晶生產(chǎn)企業(yè)提供高純?cè)霞昂牟牡呐涮住?/p>
高純碳粉是制備碳化硅單晶的基礎(chǔ)材料。
由于碳化硅具有很多卓越的物理化學(xué)性能，使得其在航空航天、電子、能源和軍工等領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用前景。特別地，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料之一，非常適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT（物理氣相傳輸）法生長(zhǎng)。SiC原料的純度、粒徑和晶型在PVT生長(zhǎng)SiC單晶時(shí)起重要的作用，直接影響生長(zhǎng)單晶的結(jié)晶質(zhì)量和電學(xué)性質(zhì)，尤其是高純半絕緣本征SiC晶體的制備需要使用高純SiC粉料。
目前，用于生長(zhǎng)單晶的高純SiC粉料一般采用CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法（又稱為高溫合成法或燃燒法）。然而，CVD法合成高純碳化硅粉料的成本高，不適于碳化硅粉料的批量化合成。改進(jìn)的自蔓延高溫合成法制備過程簡(jiǎn)單，合成效率高，在工業(yè)上被廣泛用于生產(chǎn)高純SiC粉體。該方法是將固態(tài)的Si源和C源作為原料，使其在1400～2000℃的高溫下持續(xù)反應(yīng)，最后得到高純SiC粉體，而高純度的C粉是最常見的碳源材料。
頂立科技是楚江新材（002171）的控股子公司，是一家專業(yè)從事特種材料及特種熱工裝備研發(fā)、生產(chǎn)的國(guó)家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)。近年來其積極參與國(guó)家重大專項(xiàng)建設(shè)，通過自主創(chuàng)新，將材料制造工藝與裝備制造技術(shù)緊密結(jié)合，先后攻克了我國(guó)粉末冶金、碳材料等行業(yè)急需的關(guān)鍵熱工裝備的技術(shù)瓶頸。在高純碳粉方面，頂立科技已掌握6N級(jí)高純碳粉制備工藝，產(chǎn)品穩(wěn)定性好、石墨化程度高、雜質(zhì)少，可用于合成高純SiC粉、培育鉆石、鋰電池負(fù)極材料等方面。
參考來源：
[1]每日經(jīng)濟(jì)新聞、頂立科技官網(wǎng)等
[2]羅昊等.碳化硅單晶生長(zhǎng)用高純碳化硅粉體的研究進(jìn)展
[3]馬康夫等.生長(zhǎng)單晶用SiC粉料合成工藝研究進(jìn)展
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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