中國粉體網(wǎng)  12月11日，西咸新區(qū)涇河新城官微發(fā)布消息稱，他們已經(jīng)與江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。此次簽約意味著總投資116億元的西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式落戶涇河新城。

報道稱，該項(xiàng)目將建立第三代化合物半導(dǎo)體研發(fā)中心，開展氮化鎵基半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)、新品研發(fā)等工作。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值500億元，實(shí)現(xiàn)年上繳稅收約25億元。

據(jù)了解，該項(xiàng)目建設(shè)單位是江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司，成立于2021年1月，專注于GaN電子器件研發(fā)，并掌握了氮化鎵外延、器件制備和封裝等領(lǐng)域的核心技術(shù)。

值得注意的是，譽(yù)鴻錦材料的子公司江西譽(yù)鴻錦芯片主要從事高品質(zhì)GaN電子材料和高端光電材料的MOCVD外延生長及器件、模組的研發(fā)和生產(chǎn)制造。

此前，他們設(shè)計紫外LED和GaN藍(lán)綠激光器的研發(fā)和生產(chǎn)。同時，他們還具備功率器件的生產(chǎn)能力，擁有4/6/8寸氮化鎵外延生產(chǎn)線和一條SBD/HEMT芯片中試生產(chǎn)線，一條封裝測試線，具備每月產(chǎn)能5萬片，對應(yīng)約1.5億顆芯片。

根據(jù)江西譽(yù)鴻錦芯片的公開資料，他們未來五年將致力于實(shí)現(xiàn)氮化鎵電子器件和高端光電器件等領(lǐng)域的"中國智造"，并規(guī)劃總投資約50億元建設(shè)氮化鎵項(xiàng)目：

一期：投資約3億元 ，其中生產(chǎn)設(shè)備投資2.7億元 ，建設(shè)包含6臺MOCVD的氮化鎵外延生產(chǎn)線（投資約1億元 ），一條芯片中試生產(chǎn)線（投資約1.3億元 ）以及一條封裝測試線（投資約7000萬元 ），一期將可形成月產(chǎn)能1500片，對應(yīng)約1500萬顆芯片。

二期：投資金額約9億元 ，投資新增10臺MOCVD的氮化鎵外延片生產(chǎn)線，建一條芯片量產(chǎn)線和再增加10臺MOCVD的氮化鎵外延片生產(chǎn)線，可形成月產(chǎn)能6000片，對應(yīng)約6000萬顆芯片。

三期：投資金額約38億元 ，其中增加兩條氮化鎵芯片生產(chǎn)線，月產(chǎn)能20000片，對應(yīng)約2億顆芯片，項(xiàng)目完成后將可實(shí)現(xiàn)年主營業(yè)務(wù)收入達(dá)100億左右。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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