中國(guó)粉體網(wǎng)訊  1月11日，廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司“面向車規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項(xiàng)目”節(jié)能報(bào)告的審查意見：項(xiàng)目采用的主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和建設(shè)方案符合國(guó)家相關(guān)節(jié)能法規(guī)及節(jié)能政策的要求，原則同意該項(xiàng)目節(jié)能報(bào)告。 

芯粵能碳化硅項(xiàng)目占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線；二期建設(shè)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線。

產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值將達(dá)100億元。

該公告顯示，此項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容包括：建設(shè)年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅基晶圓芯片生產(chǎn)線，主要建構(gòu)筑物包括生產(chǎn)廠房、生產(chǎn)調(diào)度廠房、研發(fā)廠房、綜合動(dòng)力站、綜合倉(cāng)庫(kù)、硅烷站、化學(xué)品庫(kù)、廢水處理站、危險(xiǎn)品庫(kù)、大宗氣站等，主要設(shè)備包括光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、烘箱、高溫氧化爐管、高溫激活爐管、清洗機(jī)、冷水機(jī)組、純水制備系統(tǒng)、燃?xì)忮仩t等。

項(xiàng)目能耗量和主要能效指標(biāo)：項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，年綜合能耗不高于10277噸標(biāo)準(zhǔn)煤（當(dāng)量值），其中年電力消耗量不高于6450萬(wàn)千瓦時(shí)、天然氣消耗量不高于175萬(wàn)立方米；項(xiàng)目集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品電耗不高于0.72千瓦時(shí)/平方厘米。  

傳統(tǒng)硅材料在 MOSFET、IGBT、功率 IC 等領(lǐng)域的 器件性能已經(jīng)逐漸接近極限，已無(wú)法適應(yīng)新興市場(chǎng)快速發(fā)展的變革需要，基于寬禁帶半導(dǎo)體 SiC 制造的功率器 件具有更為優(yōu)越的物化性能。通過(guò)在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延，即可得到適用于新能源汽車、光伏、 交通軌道等領(lǐng)域的功率器件。它們相較于硅基器件具有更高的工作溫度、擊穿電壓以及優(yōu)越的開關(guān)性質(zhì)，其開 關(guān)頻率和功率頻率都輕易突破了傳統(tǒng)材料的上限，因此廣泛用于新能源汽車等領(lǐng)域。

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET晶圓

芯粵能定位車規(guī)級(jí)和工控級(jí)兩大領(lǐng)域的功率平臺(tái)和產(chǎn)品，正符合現(xiàn)在市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)和需求。2022年11月21日，芯粵能碳化硅芯片制造項(xiàng)目潔凈室全面啟用，標(biāo)志著芯粵能項(xiàng)目土建施工進(jìn)入尾聲，緊接著就是工藝設(shè)備的有序搬入和安裝調(diào)試，為2023年初項(xiàng)目試投產(chǎn)做準(zhǔn)備。

據(jù)調(diào)研，芯粵能已開始對(duì)國(guó)內(nèi)外襯底與外延產(chǎn)品做調(diào)研及購(gòu)買，為后續(xù)公司芯片產(chǎn)品驗(yàn)證和產(chǎn)線通線做進(jìn)一步準(zhǔn)備！

來(lái)源：半導(dǎo)體前沿、廣東省發(fā)改委官網(wǎng)

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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