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廣東天域半導體獲約12億元融資,擴大碳化硅外延產(chǎn)線


來源:中國粉體網(wǎng)   空青

[導讀]  近日,廣東天域半導體股份有限公司(以下簡稱“天域半導體”)獲約12億人民幣融資。用于增加碳化硅外延產(chǎn)線的擴產(chǎn)以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長研發(fā)投入。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,廣東天域半導體股份有限公司(以下簡稱“天域半導體”)獲約12億人民幣融資。本輪融資資金將繼續(xù)用于增加碳化硅外延產(chǎn)線的擴產(chǎn)以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長研發(fā)投入。



天域半導體成立于2009年,是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的民營企業(yè),是中國第一家碳化硅半導體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認證。


來源:天域半導體


在產(chǎn)品方面,天域半導體在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD,憑著最先進的外延爐設(shè)備、外延技術(shù)和最先進的測試和表征能力,為全球客戶提供 n-型 和 p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFET、BJT、MOSFET,GTO 和 IGBT等。


該公司是國內(nèi)最早實現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn),20 kV級以上的厚外延生長實現(xiàn),緩變結(jié)、陡變結(jié)等n/p型界面控制技術(shù),多層連續(xù)外延生長技術(shù)的企業(yè)。


據(jù)悉,天域半導體已提前布局國內(nèi)8英寸SiC外延晶片工藝線的建設(shè),正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)東莞松山湖管委會文件,天域半導體首條8英寸碳化硅外延片生產(chǎn)線項目,計劃2022年動工,預計2025年投產(chǎn)。


在合作方面,天域半導體域曾與II-VI成為戰(zhàn)略合作伙伴,后者將為天域提供6吋導電型碳化硅襯底;與露笑合作,2022至2024年笑露將為天域半導體預留的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能不少于15萬片。同時,雙方將在6英寸及以上規(guī)格SiC襯底方面進行產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用技術(shù)研發(fā)合作。


根據(jù)企查查信息顯示,天域半導體曾獲比亞迪、華為哈勃等入股。2022年6月,天域半導體宣布,他們相繼完成了第二輪和第三輪戰(zhàn)略投資者的引入工作,成為我國目前唯一一家同時獲得各領(lǐng)域頭部企業(yè)戰(zhàn)略投資的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。


來源:集微網(wǎng)、公司官網(wǎng)、京銘資本


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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