国产在线 | 日韩,疯狂做受xxxx高潮不断,影音先锋女人aa鲁色资源,欧美丰满熟妇xxxx性大屁股

打破壟斷,蓋澤半導(dǎo)體首臺(tái)國(guó)產(chǎn)SiC外延膜厚測(cè)量設(shè)備順利交付!


來(lái)源:天天IC

[導(dǎo)讀]  目前,蓋澤半導(dǎo)體自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測(cè)量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶(hù)。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近年來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備的周期性正在減弱,行業(yè)增長(zhǎng)趨勢(shì)加強(qiáng)。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷(xiāo)售額將達(dá)到1085億美元的新高,較2021年1025億美元的行業(yè)紀(jì)錄增長(zhǎng)5.9%。其中,預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)銷(xiāo)售額為76億美元。而在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)中,科磊、應(yīng)用材料、日立高新技術(shù)等外國(guó)企業(yè)形成了巨頭壟斷優(yōu)勢(shì),國(guó)產(chǎn)化率極低。在細(xì)分領(lǐng)域,F(xiàn)TIR晶圓量測(cè)設(shè)備也大多依賴(lài)國(guó)外廠商進(jìn)口。


作為較早布局半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的本土企業(yè),華矽蓋澤半導(dǎo)體科技(上海)有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“蓋澤半導(dǎo)體”),針對(duì)晶圓類(lèi)產(chǎn)品提供高精度光學(xué)檢測(cè)設(shè)備。目前,其自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測(cè)量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶(hù)。




GS-M06Y將應(yīng)用于半導(dǎo)體前道量測(cè),主要針對(duì)硅外延/碳化硅外延層厚度進(jìn)行測(cè)量。GS-M06Y設(shè)備采用了蓋澤半導(dǎo)體自主研發(fā)的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統(tǒng)。公司自主研發(fā)的FTIR光路系統(tǒng),可快速檢測(cè)晶圓厚度,實(shí)現(xiàn)了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。


值得一提的是,對(duì)比國(guó)外友商同類(lèi)型產(chǎn)品,蓋澤半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備具有如下兩大優(yōu)勢(shì):


兼容性強(qiáng),可基于客戶(hù)需求進(jìn)行定制化。目前FTIR傅里葉紅外晶圓測(cè)量設(shè)備國(guó)內(nèi)市場(chǎng)嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口,而進(jìn)口設(shè)備大多為預(yù)設(shè)程序,兼容性低,且無(wú)法為國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)行定制化改造。蓋澤半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備可滿(mǎn)足客戶(hù)不同需求,按照客戶(hù)要求進(jìn)行設(shè)備定制化,如對(duì)接客戶(hù)MES系統(tǒng)或依據(jù)工程師習(xí)慣進(jìn)行軟件改進(jìn),可大幅降低客戶(hù)的使用及維護(hù)成本。


測(cè)量時(shí)間更短,精度更高。GS-M06Y在測(cè)量硅晶圓速度、單片硅晶圓測(cè)量時(shí)間、測(cè)量精度、測(cè)試重復(fù)性、單點(diǎn)重復(fù)性等性能都達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平,部分性能甚至超越國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品。


據(jù)集微網(wǎng)了解,此次出貨的設(shè)備與以往不同,此臺(tái)設(shè)備運(yùn)用蓋澤半導(dǎo)體最新研發(fā)的碳化硅外延檢測(cè)技術(shù),可對(duì)碳化硅外延精準(zhǔn)測(cè)量,是繼蓋澤半導(dǎo)體9月硅外延檢測(cè)設(shè)備出貨后,公司的又一里程碑。蓋澤半導(dǎo)體不僅突破了SiC外延檢測(cè)技術(shù),還可實(shí)現(xiàn)一代半導(dǎo)體(硅外延6英寸&8英寸&12英寸)、二代半導(dǎo)體(砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸)、三代半導(dǎo)體(碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延)、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸,以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測(cè)量。


目前,全球各大晶圓廠加速擴(kuò)產(chǎn),在復(fù)雜的地緣政治因素影響下,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備迎來(lái)發(fā)展良機(jī),蓋澤半導(dǎo)體站在時(shí)代的風(fēng)口,不斷創(chuàng)新發(fā)展。多年來(lái),蓋澤半導(dǎo)體在晶圓量測(cè)設(shè)備領(lǐng)域不斷深耕,憑借突出的技術(shù)優(yōu)勢(shì)以及優(yōu)秀的產(chǎn)品表現(xiàn),為半導(dǎo)體晶圓前道量檢應(yīng)用場(chǎng)景提供了一系列可以替換進(jìn)口的國(guó)產(chǎn)化解決方案,致力擔(dān)綱國(guó)產(chǎn)化重任,力做國(guó)產(chǎn)晶圓量測(cè)設(shè)備領(lǐng)航者。


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除


推薦11
相關(guān)新聞:
網(wǎng)友評(píng)論:
0條評(píng)論/0人參與 網(wǎng)友評(píng)論

版權(quán)與免責(zé)聲明:

① 凡本網(wǎng)注明"來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于中國(guó)粉體網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)"。違者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。

② 本網(wǎng)凡注明"來(lái)源:xxx(非本網(wǎng))"的作品,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),且不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)下載使用,必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來(lái)源",并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。

③ 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起兩周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

粉體大數(shù)據(jù)研究
  • 即時(shí)排行
  • 周排行
  • 月度排行
圖片新聞