中國粉體網(wǎng)訊 “我們下一代平臺將減少75%的碳化硅。”總市值超6000億美元的特斯拉，日前在投資者活動日上的只字片語，一度帶崩相關(guān)板塊。當前，該話題帶給市場的沖擊仍在。
隨后，A股不少相關(guān)上市公司已就上述情況向《科創(chuàng)板日報》記者進行回應。
特斯拉此舉究竟是“王炸”還是“虛驚一場”，碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景又將如何？
《科創(chuàng)板日報》記者通過進一步采訪多位國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)投資人、碳化硅相關(guān)企業(yè)、行業(yè)分析人士獲悉，特斯拉的“驚語”尚未脫離碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展基本路徑，以及特斯拉商業(yè)化策略、平臺工程方案改進的基本邏輯。
碳化硅還“香”嗎？剖析特斯拉減用計劃的邏輯與路徑
《科創(chuàng)板日報》記者注意到，特斯拉計劃減用碳化硅后，市場中也出現(xiàn)了多種“聲音”：有觀點認為，特拉斯或?qū)売锰蓟瓒x擇氮化鎵；也有人猜測，特斯拉要用回硅基IGBT。
針對上述情況，《科創(chuàng)板日報》記者試圖向特斯拉方面了解更多信息與進展，但截至發(fā)稿尚未獲得相關(guān)回應。
而在此前，特斯拉動力系統(tǒng)工程副總裁柯林·坎貝爾曾在投資者日活動上，提及散熱問題的緊迫性，并指出改善及減少碳化硅使用的技術(shù)方向。他表示，特斯拉開發(fā)了定制化模塊封裝技術(shù)，相較于市面上的碳化硅功率模塊產(chǎn)品，“這種封裝的散熱能力提升了兩倍左右，這意味著模塊封裝中的碳化硅晶片要小很多”。
江西新能源科技職業(yè)學院新能源汽車技術(shù)研究院院長張翔表示，“相較于傳統(tǒng)硅材料方案，碳化硅材料性質(zhì)更匹配高壓平臺，具備耐壓能力強、效率高、體積小等優(yōu)勢，當前仍是新能源車電驅(qū)動方案的最優(yōu)選擇�！�
從技術(shù)角度來看，對于特斯拉下一代驅(qū)動單元減少75%碳化硅的應用邏輯，有布局SiC業(yè)務的企業(yè)管理者向《科創(chuàng)板日報》記者分析表示，“可能是SiC芯片面積持續(xù)微縮（同樣電流能力用更小的芯片）、封裝技術(shù)持續(xù)演進（更強的散熱能力）、SiC芯片良率進一步提升（減少SiC材料的浪費）、SiC/IGBT混合拓撲的應用（SiC輕載效率高，IGBT重載性價比突出）等多方面的工程化持續(xù)提升的累計結(jié)果�！�
從產(chǎn)業(yè)方面來看，云岫資本合伙人兼CTO趙占祥向《科創(chuàng)板日報》記者分析表示，特斯拉目前宣布了在某些車型中對碳化硅的使用減少75%，“這可以看成傳達的潛臺詞是向碳化硅產(chǎn)業(yè)表示，目前價格太貴，且有效產(chǎn)能太小。”
“特斯拉是最早擁抱碳化硅的車企，也是想在未來的電動汽車中廣泛使用碳化硅。但是，目前碳化硅主流的企業(yè)擴產(chǎn)速度達不到特斯拉的需求。”趙占祥告訴《科創(chuàng)板日報》記者，以頭部碳化硅襯底廠商Wolfspeed為例，此前在8寸襯底上投入了很多精力，但是良率仍然不達預期，所以不得不重新開始增加6寸襯底的產(chǎn)能，導致供貨時間延誤。
當前，碳化硅襯底供需頗為緊張，全球面臨著“缺襯底”的待解難題。根據(jù)云岫資本的測算，未來三年市場面臨當前產(chǎn)能三倍的碳化硅襯底缺口。
在趙占祥看來，特斯拉推進新方案的原因，還是在于當前碳化硅的產(chǎn)能不足和價格偏高的問題�！皩τ谔蓟璧钠髽I(yè)來說，現(xiàn)在依然是處于產(chǎn)能擴張和技術(shù)發(fā)展的上升期；中長期來看，擁抱SiC趨勢并不會受到影響�！�
“如果中國企業(yè)積極參與碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，提升良率的同時積極擴產(chǎn)，為市場提供更多的供貨量，不斷降低碳化硅的使用成本，則有助于車企繼續(xù)大規(guī)模使用碳化硅�！壁w占祥如是說。
不少業(yè)內(nèi)人士也表達了相似觀點。其中，有半導體領(lǐng)域投資人士向《科創(chuàng)板日報》記者分析表示，“碳化硅是一種新的半導體材料，從材料原理上來講，具備更好的耐高壓能力和頻率切換能力，使得它從材料本質(zhì)上來講有更佳性能。但因為目前成本相對較高，大家使用得較少。當前碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈里相關(guān)參與方均在加碼投入，最終使得碳化硅芯片的成本得以迅速下降。”
碳化硅熱度如何？二級市場雖被“嚇壞”，一級市場投資火熱
盡管特斯拉下一代驅(qū)動單元將減少75%碳化硅消息傳出后，一度帶崩相關(guān)板塊，天岳先進、東尼電子、晶盛機電、乾照光電等概念股應聲“跳水”。但事實上，第三代半導體對新能源汽車、工業(yè)及通信等科技產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略意義重大，世界各個國家和地區(qū)均在努力推進相關(guān)發(fā)展工作。
如：歐洲的SPEED計劃、MANGA計劃，美國的SWITCHES計劃、NEXT計劃，日本的新一代功率電子項目等，均意在通過政府資助、企業(yè)加強投資等方式推動新一代化合物半導體落地。
而早在2016年，中國“十三五”規(guī)劃中就將碳化硅列入重點項目，隨后科技部、發(fā)改委等四部門又將碳化硅襯底技術(shù)列入重點突破領(lǐng)域。同時，中國亦在大力推動碳化硅行業(yè)發(fā)展，國資不斷支持國內(nèi)廠商立項融資。
財聯(lián)社創(chuàng)投通數(shù)據(jù)顯示，2022年至今，碳化硅領(lǐng)域一級市場累計完成73起投資。其中，國資LP方面，來自深圳、蘇州、上海和杭州的國資機構(gòu)尤為活躍，并傾向于投資支持本地的碳化硅相關(guān)企業(yè)的融資發(fā)展。如：深創(chuàng)投投資天狼芯、蘇州高新投布局博志金鉆、杭州金投加碼六方碳素等。
值得一提的是，在已披露融資基金的企業(yè)中，所融資金額最大的案例系今年2月完成12億元融資的天域半導體。在該輪融資中，投資方為：海富產(chǎn)業(yè)基金、粵科鑫泰股權(quán)投資基金、南昌工業(yè)控股、嘉元科技、招商資本、乾創(chuàng)投資。
完成上述融資后，天域半導體也成為半導體領(lǐng)域的“超級獨角獸”。目前，該公司正進行A股上市輔導，向二級資本市場發(fā)起沖擊。
此外，百識電子、愛仕特亦獲得了3億元左右的大額融資。
圖片來源：財聯(lián)社創(chuàng)投通
除國有背景資方外，最受矚目的還有來自汽車領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)資本。財聯(lián)社創(chuàng)投通數(shù)據(jù)顯示，在碳化硅領(lǐng)域出手最頻繁的車企當屬比亞迪。2022年至今，其與上汽集團共同投資了瞻芯電子、天域半導體，并加碼了邑文電子C+輪融資。
小鵬汽車與旗下風投平臺星航資本戰(zhàn)略投資了瞻芯電子；廣汽資本加碼了基本半導體；吉利控股與博原資本投資了芯聚能半導體。
寧德時代也對碳化硅有所布局，其于去年6月投資了SiC襯底企業(yè)重投天科，半導體龍頭韋豪創(chuàng)芯則投資了SiC功率器件領(lǐng)域的青禾晶元。
圖片來源：財聯(lián)社創(chuàng)投通
財聯(lián)社創(chuàng)投通數(shù)據(jù)顯示，在專業(yè)投資機構(gòu)中，對碳化硅賽道出手最多的是毅達資本。在過去一年多的時間里，其接連投資了百識電子、寬能半導體、致瞻科技、德智新材。與此同時，藍馳創(chuàng)投，光速中國、云暉資本、軟銀中國、紅杉資本等明星機構(gòu)，也出現(xiàn)在碳化硅企業(yè)的投資人名單中。
特斯拉減用計劃或面臨一定考驗，碳化硅有望打開更大想象空間
《科創(chuàng)板日報》記者注意到，特斯拉減少下一代驅(qū)動單元碳化硅器件的使用，除應對市場碳化硅供應不足以及隨之帶來的量產(chǎn)成本問題，該公司也有通過創(chuàng)新模塊封裝技術(shù)、減少碳化硅器件使用等方式，升級換代驅(qū)動平臺，優(yōu)化散熱、耐高溫、穩(wěn)定性等工程化問題。
需要注意的是，特斯拉計劃減用碳化硅或?qū)⒚媾R著一定考驗。有業(yè)內(nèi)人士分析認為，特斯拉或?qū)⒄{(diào)整碳化硅芯片面積、器件數(shù)量、封裝方案以獲得工程化能力提升。
云岫資本合伙人兼CTO趙占祥向《科創(chuàng)板日報》記者分析表示，“整體來看，特斯拉是在有意識地控制碳化硅的節(jié)奏，希望把需求放得更長久。盡管特斯拉提出的技術(shù)可實現(xiàn)性尚未確認，第三代平臺距離車型量產(chǎn)還有驗證周期，但當前特斯拉所有的系統(tǒng)架構(gòu)都是按照SiC的原生適配性進行設(shè)計，即使沒有更換SiC的技術(shù)平臺，也需要對現(xiàn)有2*24的SiC模塊架構(gòu)做較大改變，對特斯拉也需要一定時間窗口做到車型量產(chǎn)�！�
“（特斯拉舉措）應該不會對行業(yè)帶來太大影響，且對上游材料布局影響有限�！庇胁季諷iC業(yè)務的企業(yè)管理者向《科創(chuàng)板日報》記者分析表示，“不管用多少SiC，新能源汽車和新能源其他行業(yè)對大功率、高能效、高功率密度的SiC解決方案的剛需是必然持續(xù)的趨勢，其他相關(guān)企業(yè)依然對SiC保持極大的興趣與需求�！�
上述布局SiC業(yè)務的企業(yè)管理者預測：SiC的未來發(fā)展空間依然巨大，在接下來5-10年之內(nèi)，SiC MOSFET成本有望與Si IGBT和超結(jié)MOS持平，SiC MOSFET的高效率或讓SiC進一步蠶食Si功率器件的市場�！澳壳爸萍sSiC發(fā)展的因素依然是單晶生長和襯底片加工，以及大功率SiC MOSFET產(chǎn)品的良率和可靠性的進一步改進，但這些因素都已經(jīng)在規(guī)�；瘧玫拇蟊尘跋拢掷m(xù)演進，并且已經(jīng)在加速發(fā)展了�！�
當前，碳化硅不僅在新能源汽車領(lǐng)域被導入應用，在光伏、通信等市場也有望打開更大想象空間。
據(jù)東芝半導體披露，將IGBT替換為碳化硅MOSFET，額定運行期間每個器件的損耗可降低約41%。自2018年起，特斯拉、比亞迪、蔚來等車企紛紛開始用碳化硅功率器件部分替代IGBT。
鯨平臺智庫專家、大菲資本董事總經(jīng)理張力向《科創(chuàng)板日報》記者表示，“碳化硅的主要邏輯是作為碳化硅MOSFET替代IGBT，過去因為硅材料的性質(zhì)，在高鐵、電網(wǎng)、風電等超高壓領(lǐng)域，以及新能源汽車逆變器這些中高壓領(lǐng)域，只能用IGBT。但現(xiàn)在碳化硅MOSFET不僅能用、而且好用�！�
“等碳化硅在汽車領(lǐng)域進行快速迭代后，還有光伏、風電等更大的市場�！睆埩︻A計，到2027年市場規(guī)模將增至62.87億美元，年化增速至少有30%。
據(jù)碳化硅行業(yè)全球龍頭廠商Wolfspeed的數(shù)據(jù)和預測，汽車領(lǐng)域碳化硅器件市場規(guī)模明顯更高，但工業(yè)能源領(lǐng)域、射頻領(lǐng)域的高增長亦不容忽視。
具體來看，受新能源汽車及發(fā)電、電源設(shè)備、射頻器件等需求驅(qū)動，2026年碳化硅器件市場規(guī)模有望達89億美元，其中用于新能源汽車和工業(yè)、能源的SiC功率器件市場規(guī)模為60億美元，用于射頻的SiC器件市場規(guī)模為29億美元。
在云岫資本合伙人兼CTO趙占祥看來，特斯拉對于碳化硅技術(shù)的動態(tài)變化，或?qū)⒏焱苿犹蓟璁a(chǎn)業(yè)向更低價格，并有望結(jié)合更多有效產(chǎn)能發(fā)展�！皩τ谄渌匾I(lǐng)域，如：光伏、儲能、電網(wǎng)等都將帶來重要影響�！�
趙占祥告訴《科創(chuàng)板日報》記者，“從不同行業(yè)的滲透節(jié)奏來看，800V與碳化硅相擁而來推動新能源汽車2023年成為第一大爆發(fā)市場，1500V時代下降本增效需求推動光伏成為第二大陣地。2025年，預計碳化硅方案成本降至硅基器件的1.5-2倍，光伏及儲能等市場也會開始大量采用碳化硅MOSFET�！�
從應用場景來看，趙占祥預測，碳化硅在終端的滲透節(jié)奏為：在電動汽車的使用或?qū)母咧卸顺擞密囅虻投顺擞密囅绿剑换驅(qū)某擞密囅蛏逃密囈约疤胤N車發(fā)展；并有望向更大的工業(yè)及消費產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）
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