中國粉體網訊  近日，村田官網發(fā)布消息，公司生產子公司Murata Integrated Passive Solutions將在法國卡昂新建一條200mm晶圓生產線，以擴大硅電容器的產能，生產的硅電容器將用于植入式醫(yī)療設備、電信基礎設施和移動電話。

據悉，此次新建的200mm晶圓生產線，采用獨特的PICS領先技術，該技術在電氣特性方面具有更高的性能，這些產品尺寸超小，厚度低至40µm，主要面向具有超高性能和電容值的手機市場。

該產線將于2023年春季開始籌建，安裝在現有建筑物內部。通過此次擴建，村田將在2023~2025年期間創(chuàng)造100多個新工作崗位。

什么是硅電容器？

硅電容利用硅材質制作而成，它跟普通電容類似，也是上下都是極板，中間是介電層，不同點是介電層使用的是硅材料。

硅電容在性能上有不少優(yōu)勢:

1）硅的穩(wěn)定性能比較好，因此硅電容也相應具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。

2）硅電容還做得更小更薄，標準化的硅電容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。

3）硅電容這樣的底部電極品更適合高速信號線，越接近阻抗連續(xù)性更好，信號品質更好。

4）硅電容器可靠性更高，工作電壓下可保證100攝氏度，10年壽命。

5）硅電容器件本身插損很小，相比其他寬帶電容產品，插損優(yōu)勢很明顯。

6）硅電容的絕緣阻抗很高，優(yōu)于陶瓷電容和鉭電容。

據了解，硅電容器主要應用于LC濾波器、毫米波T/R組件、移動通訊基站、手機終端、醫(yī)療MRI及線圈等領域。據相關市場數據，目前整體硅電容器市場年用量預計達93億個，年產60萬片，手機終端市場占比最高，年用量將近60億個。

村田硅電容的內部3D結構

村田硅電容器的3D結構是利用干法蝕刻技術的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術，它可以讓通過SF6氣體進行蝕刻和通過C4F8形成保護膜高速重復，從而實現高縱橫比蝕刻。

與MLCC相比，正是因為采用高縱橫比的3D結構，通過蝕刻工藝，有效的增加了電容器表面，使的硅電容器具有更穩(wěn)定的電氣特性。另外，使用適當的高介電常數材料以及使用適當的沉積技術制造，使器件具有高介電常數。

盡管硅電容器擁有超小尺寸、超高頻率、高容量、可靠性和穩(wěn)定性等特點，但技術壁壘極高，因此過去主要用于航空航天、軍工雷達等領域，民用市場占比不到1%。

根據市場研究公司Transparency Market Research的數據，2021年全球硅電容器市場價值15.8億美元。從2022年到2031年，預計將以5.4%的CAGR（復合年增長率）增長。同時，根據Mordor Intelligence的一項研究，2021年全球MLCC市場規(guī)模達到116.3億美元，預計2022年至2027年的復合年增長率為6.03%。

在硅電容器領域，村田有絕對的“話語權”。村田制作所于2016年10月收購的原法國IPDiA，之后更名為Murata Integrated Passive Solutions。該公司總部位于法國諾曼底卡昂，負責開發(fā)和生產3D硅電容器，主要用于植入式醫(yī)療設備、高可靠性應用、電信基礎設施、汽車和移動設備。

收購了前IPDiA之后，主營MLCC的村田制作所將硅電容器定位為“下一步行動”，而這一次的擴產更像是“催化劑”，硅電容器也將成為下必爭之地。

來源：村田官網、Murata村田中國公眾號、36氪、和訊網

（中國粉體網編輯整理/空青）

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