中國粉體網(wǎng)訊 成本高，一直是碳化硅器件被吐槽的詬病。因為碳化硅在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中存在單晶生產(chǎn)周期長、環(huán)境要求高、良率低等問題，碳化硅襯底生產(chǎn)中的長晶環(huán)節(jié)需要在高溫、真空環(huán)境中進行，對溫場穩(wěn)定性要求高，并且其生長速度比硅材料有數(shù)量級的差異。因此，碳化硅襯底生產(chǎn)工藝難度大，良率不高。
這直接導(dǎo)致了碳化硅襯底存在價格高、產(chǎn)能低的問題。
目前，主流碳化硅襯底尺寸為6英寸，8英寸襯底正在成為行業(yè)重要的技術(shù)演化方向。根據(jù)中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的預(yù)測，預(yù)計2020-2025年國內(nèi)4英寸SiC晶圓市場逐步從10萬片減少至5萬片，6英寸晶圓將從8萬片增長至20萬片；2025-2030年，4英寸晶圓將逐步退出市場，6英寸增加至40萬片。
從技術(shù)進展來看，國產(chǎn)碳化硅廠商基本以6英寸碳化硅晶圓為主，而Wolfspeed、ROHM、英飛凌、ST等國際碳化硅大廠已經(jīng)紛紛邁入8英寸，并將量產(chǎn)節(jié)點提前到今年�？梢钥闯�，目前碳化硅襯底市場以海外廠商為主導(dǎo)，國內(nèi)企業(yè)市場份額較小。雖國內(nèi)尺寸迭代較海外廠商略慢一籌，但近年來發(fā)展提速明顯。
2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通，并進入中試線生產(chǎn)。
近日（6月22日），科友半導(dǎo)體宣布，他們突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。
8英寸產(chǎn)品展示
尺寸和厚度方面，科友半導(dǎo)體在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。
缺陷控制方面，科友半導(dǎo)體8英寸晶體微管密度＜0.1個cm-2，位錯缺陷密度＜5000個cm-2，晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
生長速度方面，科友半導(dǎo)體基于高熱場穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性、和高裝備穩(wěn)定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術(shù)，長晶速率已達(dá)到170μm/h以上，長晶周期約為4-5天，單臺長晶爐設(shè)備每月運轉(zhuǎn)約6-7爐次。
產(chǎn)品良率方面，科友半導(dǎo)體以6英寸晶體為基礎(chǔ)，開發(fā)出適合于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。
目前，科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望打破國際封鎖，成為我國大尺寸低成本碳化硅規(guī)�；慨a(chǎn)制造技術(shù)的領(lǐng)跑者。
來源：科友半導(dǎo)體、虎嗅網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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