中國(guó)粉體網(wǎng)訊 2023年6月29日,天岳先進(jìn)攜8英寸碳化硅襯底最新技術(shù)動(dòng)態(tài)亮相Semicon China展會(huì),受到高度關(guān)注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇公開(kāi)了天岳先進(jìn)最新進(jìn)展。
來(lái)源:天岳先進(jìn)
據(jù)介紹,在產(chǎn)品方面,目前天岳先進(jìn)以6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底為主;產(chǎn)能方面,上海臨港工廠已于5月3日舉行交付儀式,公司預(yù)計(jì)隨著公司技術(shù)的快速提升,將盡早實(shí)現(xiàn)臨港工廠第一階段30萬(wàn)片的產(chǎn)能目標(biāo)。通過(guò)自主擴(kuò)徑技術(shù)制備的高品質(zhì)8英寸產(chǎn)品,目前也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。
碳化硅的本身特性決定了其單晶生長(zhǎng)難度較大,目前比較主流的方法有物理氣相傳輸法(PVT法)、液相法以及高溫氣相化學(xué)沉積法等。其中,液相法生長(zhǎng)碳化硅晶體由于更接近熱力學(xué)平衡條件,有望生長(zhǎng)質(zhì)量很好的碳化硅晶體,相比于PVT法生長(zhǎng)碳化硅,液相法具有位錯(cuò)密度低、易于實(shí)現(xiàn)擴(kuò)徑、可以獲得P型晶體等優(yōu)點(diǎn),另外,成本上的降低也是液相法的一大優(yōu)勢(shì)。
近日,天岳先進(jìn)采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過(guò)熱場(chǎng)、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長(zhǎng)界面控制和缺陷控制難題,尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。
除了產(chǎn)品尺寸,在大尺寸單晶高效制備方面,天岳先進(jìn)采用最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破 60mm,這對(duì)提升產(chǎn)能具有重要的意義,該技術(shù)也是天岳先進(jìn)重點(diǎn)布局的技術(shù)方向之一。
在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等市場(chǎng)持續(xù)推動(dòng)下,今年以來(lái),國(guó)際半導(dǎo)體巨頭紛紛聯(lián)手國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底、材料等環(huán)節(jié)巨頭,進(jìn)軍8英寸碳化硅。據(jù)悉,8英寸的面積較6英寸增加了約78%,同等條件下從8英寸襯底切出的芯片數(shù)將提升近90%,可將單位綜合成本降低50%。
今年5月份,天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂一項(xiàng)新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的6英寸碳化硅襯底和晶棒,第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料,但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過(guò)渡。值得一提的是,天岳先進(jìn)的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。
此外,博世集團(tuán)也與天岳先進(jìn)簽署了戰(zhàn)略合作長(zhǎng)期協(xié)議,以鎖定芯片制造關(guān)鍵材料碳化硅襯底的需求。
隨著全球能源電氣化、低碳化的發(fā)展趨勢(shì),碳化硅半導(dǎo)體材料和器件將發(fā)揮越來(lái)越重要的作用,天岳先進(jìn)表示,公司看好行業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展?jié)摿,并努力做好技術(shù)突破和產(chǎn)能提升,繼續(xù)引領(lǐng)發(fā)展,提升公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)價(jià)值。
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(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)
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