中國(guó)粉體網(wǎng)訊 自組裝單分子層（Self-assembled Monolayers，SAMs）材料因具有低耗、低光學(xué)損失和高保型性等特點(diǎn)，被廣泛用作空穴選擇性接觸，以實(shí)現(xiàn)高效鈣鈦礦、鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)能電池的制備。然而，由于SAMs吸附對(duì)復(fù)雜氧化物表面化學(xué)的敏感性，在金屬氧化物（如氧化銦錫，Indium Tin Oxide，ITO）表面上實(shí)現(xiàn)均勻且無(wú)針孔的單分子層的沉積頗有挑戰(zhàn)性。
基于ITO表面重構(gòu)的四端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池的J-V曲線和ITO表面重構(gòu)前后的微觀形貌及表面化學(xué)變化圖
近期，中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所研究員葉繼春帶領(lǐng)硅基太陽(yáng)能及寬禁帶半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)，在前期晶體硅和鈣鈦礦太陽(yáng)電池研究的基礎(chǔ)上，在鈣鈦礦/硅疊層電池方向取得了新進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)提出了ITO表面重構(gòu)的新方法，實(shí)現(xiàn)了效率為28.4%的四端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池的制備。該工作通過(guò)氫氟酸和隨后的紫外臭氧處理方法選擇性地去除ITO表面不需要的末端羥基和水解產(chǎn)物，從而實(shí)現(xiàn)ITO表面重構(gòu)。這種方法可增加ITO表面活性和面積，從而促進(jìn)高密度SAMs的吸附。此外，所得的氟化表面還可以防止ITO與鈣鈦礦活性層的直接接觸，并鈍化鈣鈦礦的埋底界面。得益于協(xié)同改進(jìn)的鈣鈦礦成膜、電荷提取、能級(jí)排列和界面化學(xué)穩(wěn)定性，相應(yīng)的單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)電池獲得了21.3%的光電轉(zhuǎn)換效率和較好的長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性�？蒲腥藛T將由重構(gòu)的ITO制得的半透明電池和遂穿氧鈍化接觸（TOPCon）電池用于四端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池的制備，最終獲得了28.4%的效率。
相關(guān)研究成果以Reconstruction of the Indium Tin Oxide Surface Enhances the Adsorption of High-Density Self-Assembled Monolayer for Perovskite/Silicon Tandem Solar Cells為題，發(fā)表在《先進(jìn)功能材料》（Advanced Functional Materials，DOI: 10.1002/adfm.202304708）上。研究工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)和浙江省等的支持。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/星耀）
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