中國(guó)粉體網(wǎng)訊  8月1日，九峰山實(shí)驗(yàn)室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件晶圓下線。至此，該實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測(cè)試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。

碳化硅（SiC）是化合物半導(dǎo)體材料，具備極好的耐壓性、導(dǎo)熱性和耐熱性，是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。在智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源儲(chǔ)能等新興賽道的高速牽引下，化合物半導(dǎo)體快步走向臺(tái)前。

九峰山實(shí)驗(yàn)室在充分調(diào)研及大量驗(yàn)證測(cè)試的基礎(chǔ)上，充分梳理關(guān)鍵工藝及工藝風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)，周密制定開(kāi)發(fā)計(jì)劃，在4個(gè)月內(nèi)連續(xù)攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項(xiàng)關(guān)鍵工藝問(wèn)題，系統(tǒng)性地解決了一直困擾業(yè)界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項(xiàng)工藝難題。

瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，作為九大湖北實(shí)驗(yàn)室之一的九峰山實(shí)驗(yàn)室，成立于2021年，不到兩年便建設(shè)完成，今年3月投運(yùn)，已建成目前全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最先進(jìn)、規(guī)模最大的科研和中試平臺(tái)，以及先進(jìn)的專業(yè)檢測(cè)平臺(tái)。

今年3月，九峰山實(shí)驗(yàn)室8寸線已實(shí)現(xiàn)第一批研發(fā)產(chǎn)品樣品交付。

該實(shí)驗(yàn)室相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，未來(lái)將繼續(xù)以基礎(chǔ)性、前瞻性、特色性的原創(chuàng)成果和優(yōu)質(zhì)資源支持產(chǎn)業(yè)界解決關(guān)鍵工藝難題，為合作伙伴提供中立、開(kāi)放的創(chuàng)新工藝研發(fā)平臺(tái)，加速技術(shù)創(chuàng)新。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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