中國粉體網(wǎng)訊 8月30日，德國博世集團(tuán)表示，其已經(jīng)收購了加州芯片制造商 TSI Semiconductors，此舉旨在美國建立碳化硅芯片制造基地，使電動汽車 (EV) 的行駛時間更長。
針對收購價格博世并未對外透露，在此前的4月份，博世表示其收購TSI之后，還將投資15億美元對加州的羅斯維爾工廠進(jìn)行改造，生產(chǎn)碳化硅芯片。收購?fù)瓿芍�，該廠將與德國的另外兩大晶圓廠一同成為博世的三大半導(dǎo)體制造支柱，并自2026年開始生產(chǎn)SiC晶圓。
博世表示，加州政府已經(jīng)批準(zhǔn)為這家公司提供2500萬美元的稅收減免，而最終是否將工廠擴(kuò)建到預(yù)定規(guī)模，主要取決于美國政府以及地方政府的財政補貼。
TSI Semiconductors 成立于1996 年，總部位于加利福尼亞州圣何塞，專門從事模擬、混合信號和射頻 (RF) 集成電路設(shè)計和制造，目前主要以8英寸制造為主。
博世管理委員會主席 Stefan Hartung 博士表示：“通過收購 TSI Semiconductors，我們正在一個重要的銷售市場建立SiC芯片的制造能力，同時也在全球范圍內(nèi)增加我們的半導(dǎo)體制造。羅斯維爾現(xiàn)有的潔凈室設(shè)施和專家人員將使我們能夠更大規(guī)模地制造用于電動汽車的SiC芯片�！�
除了此次收購TSI之外，在本月中旬，博世宣布投資6500萬歐元在馬來西亞開設(shè)一個新的芯片和傳感器測試中心，并計劃在未來10年繼續(xù)投資2.85億歐元，以支持該中心的持續(xù)發(fā)展和增長。今年1月，博世又計劃在江蘇蘇州建設(shè)一家工廠（博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地），生產(chǎn)內(nèi)容包含SiC功率模塊等，主要目的是為當(dāng)?shù)仄囍圃焐烫峁┭邪l(fā)、測試和制造汽車零件以及自動駕駛技術(shù)。該基地已于3月奠基。
隨著全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)需求的爆發(fā)。博世已經(jīng)計劃再投資30億歐元用于半導(dǎo)體布局，投資重點放在SoC（系統(tǒng)芯片）和功率半導(dǎo)體的開發(fā)上，投資計劃將在2026年之前實施。這筆投資的一部分將用于建設(shè)兩個新的芯片研發(fā)中心，其中一個位于德國羅伊特林根，另一個位于德累斯頓。博世還計劃擴(kuò)建工廠，增加潔凈室面積，特別是在德累斯頓。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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