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國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)一期項目竣工投產(chǎn)


來源:全球半導(dǎo)體觀察

[導(dǎo)讀]  由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導(dǎo)、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主辦的 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。

中國粉體網(wǎng)訊  9月6日,由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導(dǎo)、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主辦的 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。10個總投資額超百億元產(chǎn)業(yè)項目在大會上簽約,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)一期項目竣工投產(chǎn)。



會上,多個超百億元產(chǎn)業(yè)項目簽約,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)集中發(fā)布重大科技攻關(guān)成果,同時宣布一期項目竣工投產(chǎn)。


此次集中簽約的項目,形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局,包括三晶第三代半導(dǎo)體精密裝備及材料產(chǎn)業(yè)化項目等。


會上,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)平臺成果發(fā)布,涉及SiC MOSFET、功率模塊等關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)悉,該中心將攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵應(yīng)用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大產(chǎn)品方向,從碳化硅電力電子的基礎(chǔ)理論、材料生長、器件制備、系統(tǒng)應(yīng)用等四個方面,聯(lián)合生態(tài)伙伴共同攻關(guān)。



當(dāng)前,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)一期項目已經(jīng)竣工投產(chǎn),隨著一期項目投運,二期項目的建設(shè)也排上日程,媒體報道二期項目將于2024年開建,規(guī)劃年產(chǎn)20萬片8英寸圓片。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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