中國粉體網(wǎng)訊 三安光電宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā)，產(chǎn)品進入小批量生產(chǎn)及送樣階段。
據(jù)介紹，湖南三安依托精準熱場控制的自主PVT工藝，8英寸碳化硅襯底實現(xiàn)更低成本及更低缺陷密度，后續(xù)將持續(xù)提升良率，加快設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進湖南與重慶工廠量產(chǎn)進程。
據(jù)了解，2021年6月，總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目一期正式點亮投產(chǎn)；2022年7月，項目二期開建，總投資為80億元，達產(chǎn)后配套年產(chǎn)能為36萬片。今年6月，三安光電宣布與意法半導(dǎo)體簽署協(xié)議，將在重慶建立8英寸碳化硅器件合資制造廠。按照計劃，該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計約達32億美元（約合227.8億人民幣），將于2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計在2028年全面建成。
三安光電是中國第一家、全球第三家實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合的企業(yè)，產(chǎn)業(yè)鏈布局包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝�！疤蓟璁a(chǎn)業(yè)發(fā)展初期實現(xiàn)垂直整合，能夠很好應(yīng)對不同場景的可靠性問題�！币幻a(chǎn)業(yè)人士如是稱。
三安光電碳化硅器件上車進展加速。據(jù)了解，該公司推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET，產(chǎn)品具備高性能、高一致性和高可靠性等特點，并可根據(jù)客制化要求，提供多種靈活工藝方案。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆變器的輔助電源，1200V/75mΩ MOSFET則主要應(yīng)用于新能源汽車的OBC，兩款產(chǎn)品均處于客戶端導(dǎo)入階段，將逐步批量供貨；1200V /16mΩ車規(guī)級芯片已在戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證，預(yù)計于2024年正式上車量產(chǎn)。
碳化硅行業(yè)三個重點環(huán)節(jié)（襯底、外延和器件）中，襯底在產(chǎn)業(yè)鏈中價值量占比最高，接近50%。碳化硅市場以6英寸為主流，而8英寸能夠生產(chǎn)的晶粒數(shù)約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率和產(chǎn)能將會顯著提高，可將單位綜合成本降低 50%。
有產(chǎn)業(yè)人士稱，今年將會是8英寸碳化硅元年。今年以來，國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeeed、意法半導(dǎo)體等加速發(fā)展8英寸碳化硅。而國內(nèi)市場來看，碳化硅設(shè)備、襯底及外延環(huán)節(jié)亦迎來突破性進展，并且多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭聯(lián)手。
除三安光電外，天科合達去年年底發(fā)布8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品，并宣布將于今年內(nèi)實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底小規(guī)模量產(chǎn)。今年5月，天科合達與英飛凌簽署長期協(xié)議，天科合達將提供200毫米（8英寸）直徑碳化硅材料，幫助英飛凌向200毫米直徑晶圓的過渡。
天岳先進此前亦曾表示，公司已經(jīng)具備8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的量產(chǎn)能力。在今年的Semicon China展會上，天岳先進公布了業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設(shè)計和工藝創(chuàng)新，突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題。天岳先進在今年5月與英飛凌簽訂了一項新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議，供貨碳化硅6英寸襯底、合作制備8英寸襯底。
晶盛機電此前宣布，公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術(shù)，成功生長出8英寸N型碳化硅晶體，解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均，晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。晶盛機電此前亦宣布將會在今年內(nèi)實現(xiàn)8英寸產(chǎn)品小批量量產(chǎn)。
科友半導(dǎo)體實現(xiàn)了6英寸SiC單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨，以及8英寸SiC單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨。今年9月，科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底，于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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