中國粉體網(wǎng)訊  11月4日，晶盛機電舉行“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導體材料端的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，這一舉措標志著晶盛機電在半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)實力和市場競爭力將進一步提升。

此次簽約項目總投資21.2億元，建成后，晶盛機電將利用自身的技術(shù)和資源優(yōu)勢，加快碳化硅襯底片的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化，加速推進第三代半導體材料國產(chǎn)化進程。

盛晶電機自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。

作為第三代半導體材料，SiC具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、優(yōu)異的導熱性能等優(yōu)點。其在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中的出色性能使其成為半導體材料領(lǐng)域的基石。在下游需求增長的推動下，SiC產(chǎn)業(yè)正處于高速擴張階段。根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，目前，國內(nèi)襯底產(chǎn)能布局以4-6英寸為主，已有25家企業(yè)已在襯底環(huán)節(jié)布局，新項目投資額約為300億元。

國內(nèi)外碳化硅襯底廠商產(chǎn)能規(guī)劃，來源：申萬宏源

全球碳化硅襯底市場規(guī)模保持高速增長，預計2022-2026年CAGR將達 24.8%。 根據(jù)Yole及Wolfspeed數(shù)據(jù)，2022年全球碳化硅襯底市場規(guī)模為7億美元， 預計2024年市場規(guī)模將增長至12.5億美元，預計2026年市場規(guī)模將增長至 17億美元，2022-2026年CAGR達24.8%。

作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導體材料裝備企業(yè)，晶盛機電始終圍繞“先進材料、先進裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，深化半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上下游協(xié)同合作，向下游晶體材料深加工延伸，通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)升級，聚力解決國家核心材料自主供給，保障國家戰(zhàn)略安全，為我國半導體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。

來源：盛晶電機、未來智庫

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除