中國粉體網(wǎng)訊  11月13日，工信部原材料工業(yè)司發(fā)布《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2024年版）》（征求意見稿），公開征求社會各界意見，要求11月24日前反饋意見。其中，多項(xiàng)先進(jìn)陶瓷材料入選。

1、原位自生陶瓷顆粒鋁基復(fù)合材料

性能要求：

（1）高強(qiáng)度鑄造陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥410MPa，彈性模量≥85GPa，延伸率≥2%；

（2）高模量鑄造陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥360MPa，彈性模量≥90GPa，延伸率≥0.5%；

（3）高塑性鑄造陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥350MPa，彈性模量≥73GPa，延伸率≥14%；

（4）超高強(qiáng)變形陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥805MPa，彈性模量≥76GPa，延伸率≥8%；

（5）高抗疲勞變形陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥610MPa，彈性模量≥83GPa，延伸率≥6%。

2、鋁基碳化硅復(fù)合材料

性能要求：室溫?zé)釋?dǎo)率≥200W/(m·K)，抗彎折強(qiáng)度≥500MPa，熱膨脹系數(shù)（RT～200℃）≤9ppm/℃。

3、納米陶瓷隔熱涂層材料

性能要求：太陽光反射比≥90%，半球發(fā)射率≥0.87，涂層厚度0.3～0.45毫米，附著力優(yōu)于1級，延展率≥30%，彈性良好，BI級防火，防腐性能良好。

4、高性能微晶玻璃

性能要求：（1）零膨脹微晶玻璃：膨脹系數(shù)為 0±0.02×10^-6/℃，熱脹系數(shù)均勻性≤±0.01×10^-6/℃，5mm 厚樣品632.5nm透過率≥85%；

（2）5G 通訊用微晶玻璃：透過率（t=0.68mm，λ=550nm）≥91%，熱傳導(dǎo)率（25℃）≥1.5W/m.K，維氏硬度 Hv0.2/20-強(qiáng)化≥790×10⁷Pa，化學(xué)穩(wěn)定性（損失量）（5%HCl，95℃，24h）0.1mg/cm²，（5%NaOH，95℃，6h）≤0.2mg/cm²，跌落測試破摔高度：≥2000mm（測試條件：t=0.68mm，測試面：80目砂紙，SiC顆粒；40g負(fù)重，測試總重60g）。

5、高純氧化鋁及球形氧化鋁粉

性能要求：

（1）高純氧化鋁（4N）：純度≥99.99%，比表面3～5m²/g，D500.5～20μm；

（2）高純氧化鋁（5N）：純度≥99.999%，比表面：1.7m²/g，D50：5μm，松裝密度：0.27g/cm³，平均孔徑：10.5nm；

（3）球形氧化鋁粉：Al₂O₃≥99.7%，SiO₂≤0.03%，F(xiàn)e₂O₃≤0.03%，Na₂O≤0.02%，EC≤10μs/cm，含濕率≤0.03%，真實(shí)密度3.85±0.1g/cm³，球化率＞90%，白度≥90；

（4）高導(dǎo)熱氧化鋁粉體：產(chǎn)品粒徑＞25μm（D50），氧化鈉≤0.03%，氧化鐵≤0.08%，氧化硅≤0.08%，電導(dǎo)率≤60μs/cm。

6、氮化鋁粉體、陶瓷件及基板

性能要求：

（1）高純氮化鋁粉體：氧含量<0.8wt.%；碳含量<350ppm；鐵含量<10ppm，硅含量<50ppm，鈣含量<200ppm；比表面積≥2.5m²/g。

（2）氮化鋁陶瓷件：熱導(dǎo)率≥180W/(m·K)；抗彎強(qiáng)度≥350MPa；電阻率≥1014Ω·cm。

（3）高導(dǎo)熱氮化鋁基板：熱導(dǎo)率≥200W/(m·K)，抗彎強(qiáng)度＞300MPa。

7、氮化硅基板

性能要求：熱導(dǎo)率≥85W/(m·K)，抗彎強(qiáng)度＞700MPa。

8、氮化硅陶瓷軸承球

性能要求：抗彎強(qiáng)度≥900MPa；斷裂韌性：6～7MPa·m^1/2；硬度HV10≥1480kg/mm²；壓碎載荷比≥40%。

9、氮化硼承燒板

性能要求：氮化硼含量＞99.5%；氧含量≤0.15%；密度1.5～1.6g/cm³。

10、電子級超細(xì)高純球形二氧化硅

性能要求：SiO₂＞99.9%，球化率≥99%，D50：0.3～3μm，電導(dǎo)率≤10μS/cm，燒失量≤0.2%。

11、噴射成型耐高溫耐腐蝕陶瓷涂層

性能要求：耐溫1200℃，硬度HV1100，結(jié)合強(qiáng)度45MPa，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿。

12、陶瓷基復(fù)合材料

性能要求：

（1）耐燒蝕C/SiC復(fù)合材料：密度為2.5～3.2g/cm³，室溫拉伸強(qiáng)度≥150MPa，拉伸模量≥120GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，1600℃拉伸強(qiáng)度≥100MPa，耐溫性能≥1800℃，滿足2MW/m²以上熱流環(huán)境下1000s零燒蝕或微燒蝕的要求；

（2）核電用SiC/SiC復(fù)合材料：密度為2.7～2.9g/cm³，室溫拉伸強(qiáng)度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，1200℃拉伸強(qiáng)度≥200MPa，導(dǎo)熱系數(shù)≥20W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)（25℃～1300℃）3～5×10^-6/℃；

（3）航空用SiC/SiC復(fù)合材料：密度為2.5～2.9g/cm³，室溫拉伸強(qiáng)度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，1300℃拉伸強(qiáng)度≥200MPa，拉伸模量≥100GPa，斷裂韌性≥10MPa·m^1/2，強(qiáng)度保持率≥80%（1300℃、120MPa應(yīng)力下氧氣環(huán)境熱處理500小時）。

13、高性能陶瓷基板

性能要求：

（1）高光反射率陶瓷基板：可見光反射率≥97%，抗彎強(qiáng)度≥350MPa，熱導(dǎo)率≥22W/(m·K)；

（2）氧化鋁陶瓷基板：抗彎強(qiáng)度≥700MPa，熱導(dǎo)率≥24W/(m·K)，體積電阻率≥1014Ω·cm。

14、高性能水處理用陶瓷平板膜材料

性能要求：有效過濾面積0.5±0.004m²，分離膜平均孔徑130～170nm，顯氣孔率35～40%，純水通量（25℃，-40kPa）＞500LMH，彎曲強(qiáng)度＞30MPa，酸堿腐蝕后強(qiáng)度＞20MPa。

15、片式電阻器用電阻漿料

性能要求：漿料阻值范圍：0.1Ω～10MΩ；漿料細(xì)度：≤5μm；電阻溫度系數(shù)：≤±200ppm/℃（阻值范圍0.1Ω～10Ω）；≤±100ppm/℃（阻值范圍10Ω～10MΩ）。

16、工業(yè)藍(lán)寶石機(jī)械耐磨部件

性能要求：密度：3.98～4.1g/cm³，熔點(diǎn)：2045℃，莫氏硬度：9，熱膨脹系數(shù)：5.8×10^-6/K，彈性模量：340～380GPa，抗壓強(qiáng)度：2.1GPa，表面粗糙度：Rz0.05，抗腐蝕性：常溫下不受酸堿腐蝕，在300℃下能被HF侵蝕。

17、大尺寸光學(xué)級藍(lán)寶石晶體

性能要求：0.38～0.79μm平均透過率≥80%，1.064μm透過率≥85%，3～5μm平均透過率≥85%；光學(xué)均勻性△n≤4×10^-5；彎曲強(qiáng)度≥600MPa；努氏硬度≥17Gpa；直徑＞300mm。

18、連續(xù)碳化硅纖維

性能要求：

（1）摻雜型二代連續(xù)碳化硅纖維：單纖維直徑8～10μm，密度2.4～2.6g/cm³，單絲拉伸強(qiáng)度≥2.8GPa，束絲拉伸強(qiáng)度≥2.5GPa，拉伸彈性模量≥200GPa，斷裂伸長率≥1%，氧化量≤10%，摻金屬元素含量≤1%，單絲拉伸強(qiáng)度≥2.5GPa（1250℃氬氣1h），單絲拉伸強(qiáng)度≥2.3GPa（1000℃空氣1h）；

（2）摻雜型三代連續(xù)碳化硅纖維：單纖維直徑為8±1.0μm，密度為3.10±0.15g/cm³，單絲拉伸強(qiáng)度≥2.8GPa，束絲拉伸強(qiáng)度≥2.6GPa，拉伸彈性模量≥360GPa，斷裂伸長率≥0.8%，SiC晶粒尺寸≥30nm，碳硅原子比為1.05～1.2，氧含量≤0.8%，摻雜元素≤3wt.%，耐溫性能（1500℃氬氣1h，強(qiáng)度保留率≥80%），抗氧化性能（1250℃空氣1h，強(qiáng)度保留率≥80%）；

（3）吸波型連續(xù)碳化硅纖維：拉伸強(qiáng)度≥2.3GPa，楊氏模量≥200GPa，電阻率105～10^-2Ω·cm可調(diào)。

19、連續(xù)氮化硅纖維

性能要求：束絲上漿率：4101：1.5～3.5%，4103：0.9～2.9%；單絲直徑：（13.0±1.0）μm；離散系數(shù)小于20%；線密度：（155±8）Tex；密度：（2.25±0.10）g/cm³；單絲拉伸強(qiáng)度≥1.60GPa；束絲拉伸強(qiáng)度≥1.60GPa，離散系數(shù)小于15%；拉伸彈性模量≥140GPa，離散系數(shù)小于10%；斷裂伸長率≥0.80%，離散系數(shù)小于10%；氧含量≤3.0%，碳含量≤0.9%，氮含量：（37.0±3.0）%；高溫強(qiáng)度保留率：1250℃氬氣，1h：＞1.30GPa，1200℃空氣，1h：＞1.20GPa。

20、高性能氧化鋁纖維

性能要求：氧化鋁連續(xù)纖維：Al2O3含量≥72%，纖維強(qiáng)度≥1.8Gpa，平均直徑≤12μm。

21、高性能碳纖維增強(qiáng)陶瓷基摩擦材料

性能要求：密度≤2.2g/cm³；使用溫度-50～1650℃；抗壓強(qiáng)度≥160MP；抗彎強(qiáng)度≥120MP；摩擦系數(shù)0.25～0.45；摩擦力矩峰值比≤2；摩擦系數(shù)熱衰退≤15%；摩擦力矩濕態(tài)衰退≤5%。

22、EBPVD熱障涂層用YSZ陶瓷靶材

性能要求：Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Mn、Na、Ni、V、Si、Ti、Cl雜質(zhì)總量≤0.05wt%，Y₂O₃含量7～9wt%，HfO2含量≤2wt%，密度3.7～4.8g/cm³，物相為四方相和單斜相，閉合氣孔率≤5%。

23、陶瓷纖維濾管

性能要求：適用溫度：180～420℃；除塵效率≥99.9%，或排放參數(shù)≤5mg/Nm³；脫硝效率≥90%，或排放參數(shù)≤30mg/Nm³；抗折強(qiáng)度≥2MPa；抗壓強(qiáng)度≥3MPa；氣孔率≥70%。

24、汽車尾氣催化劑相關(guān)材料

性能要求：

（1）稀土儲氧材料：經(jīng)1100℃高溫老化10小時后，比表面積不低于28m²/g，靜態(tài)儲氧量≥300μmolO₂/g。（3）DOC催化劑：新鮮狀態(tài)，400℃以下NO最大轉(zhuǎn)化效率≥50%；650℃，100小時水熱老化后，400℃以下NO最大轉(zhuǎn)化效率≥45%；

（2）堇青石蜂窩載體：TWC載體壁厚2.5～4.0mil，熱膨脹系數(shù)≤0.5×10^-6/℃；DOC、SCR載體壁厚3.0～5.5mil，熱膨脹系數(shù)≤0.5×10^-6/℃；DPF、GPF壁厚7～12mil，孔隙率45～65%，熱膨脹系數(shù)≤0.8×10^-6/℃；（3）CDPF催化劑：涂覆背壓偏差：±10%；預(yù)處理后PN≤6×1011/kWh。（4）ASC催化劑：650℃，100小時水熱老化后，NH₃氧化起燃溫度T50≤225℃；300℃以上的N₂選擇性≥75%；

（5）非道路T4催化劑：涂覆偏差≤±5%，性能指標(biāo)達(dá)到非道路T4標(biāo)準(zhǔn)；

（6）碳化硅蜂窩載體：DPF：300cpsi，壁厚10～12mil，孔隙率35～45%，中值孔徑8～14μm，抗熱沖擊溫度＞1500℃。

25、半導(dǎo)體裝備用精密陶瓷部件

性能要求：

（1）刻蝕裝備用碳化硅電極：彈性模量≥350GPa，抗彎強(qiáng)度≥350MPa，純度＞6N，導(dǎo)熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度＞29GPa，電阻率0.005～80Ω·cm；

（2）刻蝕裝備用碳化硅環(huán)：彈性模量≥350GPa，抗彎強(qiáng)度≥350MPa，純度＞6N，導(dǎo)熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度＞29GPa；

（3）刻蝕裝備用氮化硅陶瓷部件：密度≥3.15g/cm³；熱導(dǎo)率（RT）≥27W/(m·K)；熱膨脹≤3.5×10^-6/K；抗彎強(qiáng)度≥550MPa；平均粒度≤4μm；韋伯模量≥9；關(guān)鍵尺寸精度±0.02mm；表面0.3～5μm，尺寸顆�！�5000count/cm²，表面有機(jī)物≤0.1μg/cm²;

（4）6寸及以上高溫?cái)U(kuò)散工序用燒結(jié)碳化硅舟：密度≥3.1g/cm³，導(dǎo)熱系數(shù)≥160W/(m·K)，純度≥99.9%，抗彎強(qiáng)度≥370MPa;

（5）6寸及以上高溫?cái)U(kuò)散工序用CVD碳化硅舟：彈性模量≥350GPa，抗彎強(qiáng)度≥350MPa，純度＞6N，導(dǎo)熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度＞29GPa;

（6）6寸及以上高溫?cái)U(kuò)散工序用燒結(jié)碳化硅爐管：純度≥99.96%，密度≥2.9g/cm³，抗壓強(qiáng)度≥350MPa；熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1;

（7）6寸及以上高溫?cái)U(kuò)散工序用CVD碳化硅爐管：彈性模量≥350GPa，抗彎強(qiáng)度≥350MPa，純度＞6N，導(dǎo)熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度＞29GPa。

26、高容及小尺寸MLCC用鎳內(nèi)電極漿料

性能要求：鎳粉0.15～0.20μm，最大粒往徑≤0.5μm，固含量55±3%，粘度10rpm19±2Pa·s，干膜密度＞5g/cm³，熱膨脹系數(shù)15±3%（1000～1200℃），能在厚度3μm以下的介質(zhì)上通過絲印工藝形成精確的外觀圖形。

27、第三代功率半導(dǎo)體封裝用AMB陶瓷覆銅基板

性能要求：空洞率（C-SAM，分辨率50μm）≤0.3%；剝離強(qiáng)度（N/mm）＞10；冷熱沖擊壽命（cycle）＞5000；可焊性＞95%；打線性能：剪切力≥1000gf。

28、切削刀具用超硬材料制品

（1）聚晶金剛石復(fù)合片 PCD：硬度≥HV4000，拱形度≤0.1mm，厚度公差≤±0.1mm；

（2）聚晶 PCBN 刀片：硬度≥3200HV，抗沖擊韌性≥25J，抗彎強(qiáng)度≥500MPa。

來源：工信部原材料工業(yè)司

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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