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【原創(chuàng)】碳化硅,在三大“千億賽道”狂飆


來源:中國粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。

中國粉體網(wǎng)訊  碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:

 

 

圖片來源:Pixabay

單晶方面,碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。


陶瓷方面,碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能,近年來隨著新能源汽車、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā),深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。


今天,我們分別從單晶和陶瓷的方向,看看碳化硅材料在這些火熱賽道是如何大殺四方的。


單晶/半導(dǎo)體方面

 

橫空出世,解決硅基器件難以滿足的性能需求

 

一直以來,硅是制造半導(dǎo)體芯片最常用的材料,目前90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。究其原因,是硅的儲備量大,成本比較低,并且制備比較簡單。然而,硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用卻受阻,且硅在高頻下的工作性能較差,不適用于高壓應(yīng)用場景。這些限制讓硅基功率器件已經(jīng)漸漸難以滿足新能源車及高鐵等新興應(yīng)用對器件高功率及高頻性能的需求。


 

 

 

在這個背景下,碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導(dǎo)體材料,SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性,除了禁帶寬度,還具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點。SiC的臨界擊穿電場是Si的10倍,GaAs的5倍,這提高了SiC基器件的耐壓容量、工作頻率和電流密度,降低了器件的導(dǎo)通損耗。加上比Cu還高的熱導(dǎo)率,器件使用時無需額外散熱裝置,減小了整機體積。此外,SiC器件具有極低的導(dǎo)通損耗,而且在超高頻率時,可以維持很好的電氣性能。例如從基于Si器件的三電平方案改為基于SiC的兩電平方案,效率可以從96%提高到97.6%,功耗降低可達(dá)40%。因此SiC器件在低功耗、小型化和高頻的應(yīng)用場景中具有極大的優(yōu)勢。

 

 

 


碳化硅器件已成為新能源汽車、光伏等熱門賽道追求的“香餑餑”

 

1)新能源汽車

 

碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小,性能越來越好,所以近年來電動汽車廠商都對它青睞有加。5年前特斯拉率先在model3主驅(qū)逆變器上使用碳化硅,開辟了碳化硅“上車”的先河。之后,比亞迪、吉利、上汽大眾、蔚來等車企加速布局,在提高續(xù)航里程、實現(xiàn)超級快充、實現(xiàn)V2G功能等方面加足了馬力,電動汽車銷量的不斷增長,也帶動了市場對碳化硅功率器件的需求,掀起了一股持續(xù)至今的碳化硅“上車熱”。

 

 


不同車載領(lǐng)域應(yīng)用場景下對 SiC 器件的要求,來源:《中國碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報告(2023~2026)》


 另外,在車載充電機中,采用碳化硅可獲得更快的開關(guān)頻率FSW、更高的效率、雙向操作、更小的無源元件、更小的系統(tǒng)尺寸和更低的系統(tǒng)成本。所以,目前來看,根據(jù)碳化硅器件特點和電動汽車的發(fā)展趨勢,碳化硅器件或是未來電動汽車的必然之選。

 

2軌道交通

 

碳化硅功率器件相較傳統(tǒng)硅基IGBT能夠有效提升開關(guān)頻率,降低開關(guān)損耗,其高頻化可以進一步降低無源器件的噪聲、溫度、體積與重量,提升裝置應(yīng)用的機動性、靈活性,是新一代牽引逆變器技術(shù)的主流發(fā)展方向。目前 SiC 器件已在城市軌道交通系統(tǒng)中得以應(yīng)用,蘇州軌交 3 號線 0312 號列車是國內(nèi)首個基于 SiC 變流技術(shù)的永磁直驅(qū)牽引系統(tǒng)項目,實現(xiàn)了牽引節(jié)能20%的目標(biāo)。2012 年東京地鐵銀座線進行了世界首次 SiC 器件裝車運營試驗。自2015 年起,日本開始在鐵路車輛上大量采用 SiC 器件,到 2021 年,已進入普及應(yīng)用階段。

 

 

全碳化硅永磁直驅(qū)地鐵列車

 

3光伏發(fā)電


在光伏發(fā)電應(yīng)用中,基于硅基器件的傳統(tǒng)逆變器成本約占系統(tǒng) 10%左右,卻是系統(tǒng)能量損耗的主要來源之一。經(jīng)過 40 多年的發(fā)展,硅基器件轉(zhuǎn)換效率和功率密度等已接近理論極限。而使用碳化硅材料,可將轉(zhuǎn)換效率從 96%提升至 99%以上,能量損耗降低 50%以上,設(shè)備循環(huán)壽命提升 50 倍。例如,在住宅和商業(yè)設(shè)施光伏系統(tǒng)中的組串逆變器里,碳化硅器件在系統(tǒng)級層面帶來成本和效能的好處。陽光電源等光伏逆變器龍頭企業(yè)已將碳化硅器件應(yīng)用至其組串式逆變器中。

 

4智能電網(wǎng)


碳化硅基功率開關(guān)由于具有極低的開啟態(tài)電阻,并且能應(yīng)用于高壓、高溫、高頻場合,是硅基器件的理想替代者,另如果使用碳化硅功率模塊,與使用硅功率電源裝置相比,由開關(guān)損失引起的功率損耗可降低5倍以上,體積與重量減少40%,將對未來電網(wǎng)形態(tài)和能源戰(zhàn)略調(diào)整產(chǎn)生重大影響。

 

5無線通信設(shè)施

 

5G發(fā)展推動碳化硅基氮化鎵器件需求增長,市場空間廣闊。微波射頻器件中功率放大器直接決定移動終端和基站無線通訊距離、信號質(zhì)量等關(guān)鍵參數(shù),5G通訊高頻、高速、高功率特點對其性能有更高要求。以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具備碳化硅高導(dǎo)熱性能和氮化鎵高頻段下大功率射頻輸出優(yōu)勢,在功率放大器上的應(yīng)用可滿足5G通訊對高頻性能、高功率處理能力要求。

 

資本狂下注,碳化硅在半導(dǎo)體寒冬中狂飆

 

在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。近年來,資本市場對碳化硅一直抱有強烈的關(guān)注度。


2021年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機構(gòu)的青睞,相繼宣布完成融資,行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。


2022年也是碳化硅投融資熱度明顯的一年。據(jù)不完全統(tǒng)計,2022年全年投融資及并購金額超過33億元,數(shù)量達(dá)到30余起。僅僅是在2022年12月,就有7個融資案,包括臻驅(qū)科技、芯聚能、邑文科技、瞻芯電子、南砂晶圓等。


2023年上半年剛過,碳化硅企業(yè)的融資金額就已經(jīng)創(chuàng)了最近三年的新高。今年Q1,碳化硅領(lǐng)域共有21起融資,包含外延、襯底、材料、設(shè)備、功率器件……融資幾乎涵蓋了國內(nèi)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈。在這21家企業(yè)中,除部分企業(yè)未公布融資金額外,有10家企業(yè)所獲融資金額過億,約占總數(shù)的50%。其中,融資規(guī)模最大的當(dāng)屬天域半導(dǎo)體,為12億。今年Q2又有10余起融資,總金額超50億元。

 

建廠擴產(chǎn)毫不停歇

 

數(shù)據(jù)顯示,上半年與碳化硅相關(guān)的擴產(chǎn)項目以及預(yù)期資本支出加起來總金額超上千億元(折合成人民幣),擴產(chǎn)的內(nèi)容主要圍繞襯底、外延、器件,而應(yīng)用的方向也大多數(shù)以電動汽車為主。


今年1月,德國博世集團在蘇州發(fā)布重磅消息:再投10億美元打造新能源汽車核心部件及自動駕駛研發(fā)制造基地項目,生產(chǎn)內(nèi)容包含碳化硅功率模塊等。隨后在4月,博世又決定收購半導(dǎo)體廠商TSI Semiconductors,再投資15億美元擴張第三代半導(dǎo)體生產(chǎn),應(yīng)對電動汽車市場需求。


今年2月,美國半導(dǎo)體廠Wolfspeed正式宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進的碳化硅器件制造工廠。該工廠將成為全球最大的八英寸半導(dǎo)體工廠,采用創(chuàng)新性制造工藝來生產(chǎn)下一代碳化硅器件。


同時,國內(nèi)對于碳化硅擴產(chǎn)動作也未停歇。


今年6月,三安光電與意法半導(dǎo)體聯(lián)合宣布,雙方擬出資32億美元(約合人民幣228億元)合資建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工廠。同時,三安光電將在當(dāng)?shù)鬲氋Y建立一個8英寸碳化硅襯底工廠作為配套,預(yù)計投資總額70億元。此外還有天科合達(dá)、瀚天天成、天岳先進等公司都公布了自己新的投資與擴產(chǎn)計劃。

 

 

國內(nèi)外碳化硅襯底廠商產(chǎn)能規(guī)劃,來源:申萬宏源

 

陶瓷方面

 

陶瓷方面,常見的陶瓷材料有碳化硅、氧化鋁、氮化硅等,其中碳化硅材料因其具有極高的彈性模量、導(dǎo)熱系數(shù)和較低的熱膨脹系數(shù),不易產(chǎn)生彎曲應(yīng)力變形和熱應(yīng)變等特性,作為性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)陶瓷和高溫材料,在鋰電、半導(dǎo)體、光伏等領(lǐng)域得到越來越多的應(yīng)用。

 

光刻機等半導(dǎo)體設(shè)備用精密部件的熱門材料

 

陶瓷是刻蝕機、涂膠顯影機、光刻機、離子注入機等半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備中的關(guān)鍵部件材料,其成本已占半導(dǎo)體設(shè)備成本10%以上。其中,碳化硅陶瓷在半導(dǎo)體制造的前段到后段工藝裝備中都有廣泛應(yīng)用,例如在研磨拋光吸盤、光刻吸盤、檢測吸盤、精密運動平臺、刻蝕環(huán)節(jié)的高純碳化硅部件、封裝檢測環(huán)節(jié)中精密運動系統(tǒng)等等,地位極其重要。

 

 

來源:Wind,梧桐樹半導(dǎo)體整理

 

1)在光刻機中

 

在高端光刻機中,為實現(xiàn)高制程精度,需要廣泛采用具有良好的功能復(fù)合性、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、尺寸精度的陶瓷零部件,如E-chuck、Vacumm-chuck、Block、磁鋼骨架水冷板、反射鏡、導(dǎo)軌等。這方面,碳化硅陶瓷足以勝任。

 

 

 

 


2)在刻蝕設(shè)備中

 

在刻蝕設(shè)備中,等離子體通過物理作用和化學(xué)反應(yīng)會對設(shè)備器件表面造成嚴(yán)重腐蝕,一方面縮短部件的使用壽命,降低設(shè)備的使用性能,另一方面腐蝕過程中產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物會出現(xiàn)揮發(fā)和脫落的現(xiàn)象,在工藝腔內(nèi)產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒,影響腔室的潔凈度。因此,刻蝕機腔體和腔體部件材料的耐等離子體刻蝕性能變得至關(guān)重要。


SiC作為刻蝕機腔體材料,相較于石英,其材料本身產(chǎn)生的雜質(zhì)污染較少,由于具有更加優(yōu)異的力學(xué)性能,在等離子轟擊其原子表面時,原子損失率相對較少,日本三井公司報道一種SiC復(fù)合材料作為空氣刻蝕機腔體材料,具有較高的耐腐蝕性。


 

 

碳化硅聚焦環(huán)

 

聚焦環(huán)部件方面,其作用是提供均衡的等離子,要求與硅晶圓有相似的電導(dǎo)率。以往采用的材料主要是導(dǎo)電硅,但是含氟等離子體會與硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的氟化硅,大大縮短其使用壽命,導(dǎo)致部件需要頻繁更換,降低生產(chǎn)效率。SiC與單晶Si有相似的電導(dǎo)率,而且耐等離子體刻蝕性能更好,可以作為聚焦環(huán)的使用材料。


SiC刻蝕環(huán)作為半導(dǎo)體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材,其純度要求極高。一般只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體,隨后經(jīng)精密加工而制得,主要用于半導(dǎo)體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。


碳化硅陶瓷窯具——鋰電材料燒結(jié)的“幕后工作者” 

 

作為新能源分支,鋰電目前有多火不用贅述。鋰離子電池正極材料、負(fù)極材料和電解液的烘干、燒結(jié)和熱處理等工序中,輥道窯爐是一種關(guān)鍵的連續(xù)生產(chǎn)設(shè)備,窯具是窯爐的關(guān)鍵配件,其工業(yè)窯爐中循環(huán)使用,用于支撐或保護被燒產(chǎn)品的耐火制品,受正極材料擴產(chǎn)帶動,窯具的應(yīng)用規(guī)模擴大,碳化硅陶瓷窯具以其優(yōu)異的高溫機械性能,耐火性能以及抗熱震性能應(yīng)用于陶瓷窯中,可提高窯爐生產(chǎn)能力,大幅度降低能耗,成為各類窯爐材料窯具材料中的理想選擇。

 

 

 

光伏行業(yè)——電池片生產(chǎn)過程關(guān)鍵載具材料

 

在碳化硅陶瓷當(dāng)中,碳化硅舟托成為光伏電池片生產(chǎn)工藝過程中關(guān)鍵載具材料方面的良好選擇,其市場需求日益受到業(yè)界關(guān)注。


目前普遍使用的石英舟托、舟盒、管件等受制于國內(nèi)、國際高純石英砂礦源限制,產(chǎn)能較小,且在光伏行業(yè)上游單晶爐用坩堝、中游硅片電池片載具耗材需求不斷增加的背景下,高純度石英砂存在供需緊張,價格長期高位運行的特點,石英載具作為光伏電池片生產(chǎn)過程中承載硅片的器件性能穩(wěn)定,但是與物美價廉的耗材選型標(biāo)準(zhǔn)背道而馳。


相較于石英材料,碳化硅材料制舟托、舟盒、管件制品等熱穩(wěn)定性能好,高溫使用不變形,無有害析出污染物,作為石英制品的優(yōu)良替代材料,使用壽命可達(dá)1年以上,可顯著降低使用成本及維護維修停線造成的產(chǎn)能損失,成本優(yōu)勢明顯,其作為載具在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。


當(dāng)前,世界主要經(jīng)濟體的光伏滲透率不斷提升,在各國政策引導(dǎo)與市場需求的驅(qū)動下,隨著光伏產(chǎn)業(yè)度電成本顯著下降,目前光伏發(fā)電已成為全球最經(jīng)濟的電力能源,根據(jù)IEA預(yù)測,2020-2030年間光伏裝機量將以21%的CAGR增長至接近5TW,光伏占全球電力裝機比重將從9.5%提升至33.2%。


 

 

終端旺盛裝機需求持續(xù)帶動電池片需求高增,推動光伏產(chǎn)業(yè)碳化硅舟托及舟盒替換需求上漲,預(yù)計到2025年半導(dǎo)體及光伏行業(yè)用碳化硅結(jié)構(gòu)陶瓷占比達(dá)62%,其中光伏行業(yè)用碳化硅結(jié)構(gòu)陶瓷占比將從2022年6%上升至26%,成為最快增長領(lǐng)域。

 

小結(jié)

 

我們看到,碳化硅材料無論是作為單晶材料還是作為陶瓷材料,均在半導(dǎo)體、鋰電、光伏等當(dāng)今最火的行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)了相當(dāng)重要的位置,而且其所處的這三大行業(yè)均為千億市場規(guī)模以上賽道,并且這些行業(yè)均正在高速成長,可以預(yù)見碳化硅材料的明天一片大好。

 

參考來源:

[1]碳化硅熱度,只增不減.半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

[2]碳化硅,在芯片寒冬中狂飆.芯世相

[3]《中國碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報告(2023~2026)》.粉體大數(shù)據(jù)研究

[4]半導(dǎo)體行業(yè):SiC材料的“密集賽道”?.粉體網(wǎng)

[5]中國陶瓷工業(yè)協(xié)會


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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作者:山川

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